一种晶体硅太阳电池新型主栅电极制造技术

本发明专利技术涉及一种晶体硅太阳电池新型主栅电极，电极上设有镂空式导电浆料层，镂空式导电浆料层包括位于主栅电极两边的边框、主栅电极中间等距离均匀排列的“工”字形接触点条，“工”字形接触条与边框连为一体。本发明专利技术能避免晶体硅太阳能电池片在焊接时产生锡丝的电极结构，能够节约晶体硅太阳能电池电极印刷导电银浆的耗量，从而达到降本增效的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶体硅太阳电池新型主栅电极，特别涉及一种晶体硅太阳电池新型主栅电极(bus-bar)镂空结构。
技术介绍
晶体硅太阳电池是一种能够有效吸收太阳能辐射并使之转化为电能的半导体器件，可应用于各种发电系统。晶体硅太阳电池发电技术推广应用的主要驱动力在两方面，高转换效率和低成本。除了硅片，导电银浆的优化应用是同时实现这两方面目标的重点。晶体硅太阳能电池的主栅作用是收集并传导电荷。为了降低电极电阻引起的功率损耗，保障电极主栅的可焊性，提高晶体硅太阳能电池的转换效率，晶体硅太阳能电池电极通常使用贵金属银制成的导电浆料来制备。常规的晶体硅太阳能电池电极主栅一般被导电银浆料完全填充，这不仅增加了巨额的银浆单耗成本，而且在焊接过程中容易造成锡溢流， 产生锡丝，“拉锡现象”不仅引起外观不良，致使返工率、碎片率和报废率上升，进一步抬高成本。因此，设计一种主栅电极结构，改善焊接良品率，确保电荷收集和传输不受任何影响， 是一种降本增效的有效途径。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种晶体硅太阳电池新型主栅电极，能避免晶体硅太阳能电池片在焊接时产生锡丝的电极结构，能够节约晶体硅太阳能电池电极印刷导电银浆的耗量，从而达到降本增效的目的。本专利技术采取的技术方案为一种晶体硅太阳电池新型主栅电极，电极上设有镂空式导电浆料层，镂空式导电浆料层包括位于主栅电极两边的边框、主栅电极中间等距离均勻排列的“工”字形接触条， “工”字形接触条与边框连为一体。所述的相邻两个“工”字形接触条间有导电浆料线条连接。所述的导电浆料线条优选有1-3条，在边框间形成含2-4个长方形镂空的图形。本专利技术主栅电极的“工”字形接触条可以提供一定的可焊接面积，保障焊带的附着强度以及焊接的可靠性，其中间的实线连接边框能够有效降低主栅电极体电阻，同时能保证员工焊接操作的连贯性。相邻两个“工”字形接触条间存在长方形镂空图案，能有效的减少导电银浆的消耗量；长方形镂空在焊接时可储存溢出的焊锡，可以避免锡丝的出现，提高焊接的良品率；长方形的镂空还能减小导电银浆与硅片表面的接触面积，从而降低载流子复合，提高开路电压和短路电流。采用上述方式制备的晶体硅太阳能电池主栅结构，不仅能降低晶体硅太能电池的制造成本，而且还可以提高电池组件的良品率，降低组件的生产成本。本专利技术与全栅式非镂空主栅电极的电池电性能对比数据如下表1 表权利要求1.一种晶体硅太阳电池新型主栅电极，其特征是，电极上设有镂空式导电浆料层，镂空式导电浆料层包括位于主栅电极两边的边框、主栅电极中间等距离均勻排列的“工”字形接触条，“工”字形接触条与边框连为一体。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池主栅电极，其特征是，所述的相邻两个“工” 字形接触条间有导电浆料线条连接。3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳电池主栅电极，其特征是，所述的导电浆料线条优选有1-3条，在边框间形成含2-4个长方形镂空的图形。全文摘要本专利技术涉及一种晶体硅太阳电池新型主栅电极，电极上设有镂空式导电浆料层，镂空式导电浆料层包括位于主栅电极两边的边框、主栅电极中间等距离均匀排列的“工”字形接触点条，“工”字形接触条与边框连为一体。本专利技术能避免晶体硅太阳能电池片在焊接时产生锡丝的电极结构，能够节约晶体硅太阳能电池电极印刷导电银浆的耗量，从而达到降本增效的目的。文档编号H01L31/0224GK102361038SQ20111030666公开日2012年2月22日 申请日期2011年10月11日 优先权日2011年10月11日专利技术者何晨旭, 凌振江, 杨雷, 殷海亭, 王冬松, 王步峰, 钱金梁, 陈阳泉 申请人:润峰电力有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶体硅太阳电池新型主栅电极，其特征是，电极上设有镂空式导电浆料层，镂空式导电浆料层包括位于主栅电极两边的边框、主栅电极中间等距离均匀排列的“工”字形接触条，“工”字形接触条与边框连为一体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱金梁，杨雷，殷海亭，何晨旭，陈阳泉，凌振江，王冬松，王步峰，
申请(专利权)人：润峰电力有限公司，
类型：发明
国别省市：37