【技术实现步骤摘要】
一般地说，本实施例涉及。
技术介绍
为了实现半导体装置的高集成化和高功能化，要求动作速度的提高和存储器的大容量化。相应地，在半导体基板上的再布线形成过程中，也要求10 μ m间距以下的微细的再布线。再布线的间距若微细化，则用于形成再布线图形的光刻胶图形和其基底的贴紧性减少，在光刻胶显影时等引起光刻胶剥离。
技术实现思路
根据实施例，设置半导体基板、金属膜、表面改性层和再布线。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。金属膜在所述半导体基板上形成。表面改性层在所述金属膜的表层形成，提高与光刻胶图形的贴紧性。再布线隔着所述表面改性层在所述金属膜上形成。附图说明图1 (a) (e)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。图2(a) (d)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。图3(a) (c)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。图4(a) (b)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。图5(a) (b)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。图6(a) (b)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。图7是第1实施例的吸光度不同的光刻胶A、B的表面和...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：右田达夫，江泽弘和，山下创一，永岭公朗，宫田雅弘，盐月龙夫，村西清，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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