一种去除ＲＩＥ制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法技术

本发明专利技术涉及硅片表面处理方法领域，特别是一种去除ＲＩＥ制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法，其利用ＣＨ３ＣＯＯＨ稀释的ＨＮＯ３、ＨＦ的混合酸性液体对ＲＩＥ后的硅片进行清洗，其中ＣＨ３ＣＯＯＨ的体积百分比为０．１－１０％，ＨＮＯ３的体积百分比为８５．０％－９９．５％，接着在２００℃－４００℃，Ｎ２气氛下热处理１－３０ｍｉｎ。本发明专利技术和普通的去损伤工艺相比：采用无水酸性刻蚀液体，同时增加刻蚀溶液中的ＨＮＯ３比例，因此刻蚀速率适中使得工艺容易控制，并且刻蚀均匀性好，保留了ＲＩＥ绒面本身的微观结构，适用于产业化生产；结合后续热处理工艺，能够进一步减少硅片表面的微损伤层，并有效去除化学残留物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片表面处理方法领域，特别是一种去除RIE制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法。
技术介绍
目前太阳能晶体硅产业化生产中，普遍采用湿法刻蚀的方法制备绒面，同时去除硅片表面一部分切割损伤层。采用RIE方法制备绒面会引入比普通酸制绒或碱制绒更多的表面损伤，目前普遍应用于晶体硅RIE绒面的表面去损伤刻蚀方法主要有 1.NH40H H202 DI (1 1 5)溶液即RCA2 ;2.低浓度的强碱性化学品(Na0H、K0H等) 的水溶液；3.低浓度的强酸性化学品(HF+HN03)的水溶液等。以上三种去损伤刻蚀方法或多或少存在以下几个问题1.溶液刻蚀性弱，达不到去损伤的效果；2.刻蚀速率过快，刻蚀均勻性差，甚至破坏了 RIE绒面本身的微观结构； 3.刻蚀后硅片表面存在化学残留导致电池效率下降。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是解决RIE制绒方式引入的表面损伤层问题，采用新型去损伤刻蚀方法改善刻蚀均勻性，并有效去除硅片表面的化学残留物，在去除表面损伤层的同时保留RIE绒面的微观结构。本专利技术解决其技术问题所采用的方案是一种去除RIE制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法，利本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种去除ＲＩＥ制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法，其特征是：利用ＣＨ３ＣＯＯＨ稀释的ＨＮＯ３、ＨＦ的混合酸性液体对ＲＩＥ后的硅片进行清洗，其中ＣＨ３ＣＯＯＨ的体积百分比为０．１－１０％，ＨＮＯ３的体积百分比为８５．０％－９９．５％，接着在２００℃－４００℃，Ｎ２气氛下热处理１－３０ｍｉｎ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文浩，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32