【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池领域，具体涉及一种基于激光掺杂制备发射极的η型晶体硅太阳电池的制备方法。
技术介绍
最开始在η型基体上制作太阳电池是在1950年，但是后来发现其在太空高辐射的情况下性能衰减严重，稳定后的转换效率低于类似结构的P型太阳电池。这使得P型太阳电池成为太空应用的优先选择，其电池结构和生产技术得到不断完善。随后太阳电池转向地面应用的过程中，ρ型太阳电池结构得以沿用，成为主流。但是在地面应用中并不存在高辐射的威胁，尤其是近来为发展高效电池而作的大量研究发现 P型晶体硅并不一定是最佳选择。相对于硼掺杂的ρ型基体，磷掺杂的η型基体主要具有以下优点一、η型基体硼含量极低，所以由硼氧对导致的光致衰减并不明显；二、η型晶体硅具有更长的少子寿命。 因此很适合用于制备高效电池。传统制备硼发射极的η型太阳电池采用的是高温扩散硼源的方法，在众多硼扩散方式中，用氮气携带液态BBr3进行管式扩散的效果最好。高温硼扩散存在的一个问题是均勻性难以控制。在扩散前期，BBr3K应生成化03，后者沉积在晶体硅片表面，并在高温作用下扩散进入硅基体。这与磷扩散时POCl3先生成P2O5再...
【技术保护点】
１．根据权利要求１所述的基于激光掺杂制备发射极的ｎ型太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（１）对晶体硅片进行清洗制绒，在该晶体硅片前表面涂敷硼酸；（２）在涂有硼酸的晶体硅片的前表面利用激光面扫描的方法制成电池的Ｐ－Ｎ结，并清洗；（３）采用Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＯ２叠层介质膜钝化电池前后表面；（４）在电池的前表面镀ＳｉＮｘ减反膜，电池背面采用激光烧蚀技术形成局域开孔；（５）采用丝网印刷制电极及烧结测试，完成电池的制备过程。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁宗存，叶小帅，朱彦斌，沈辉，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：81
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