【技术实现步骤摘要】
一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED
本技术属于光电子
,具体涉及AlGaInP四元系LED生产
。
技术介绍
四元系AlGaInP黄绿光发光二极管广泛应用于信号指示、显示、交通指示、显示 屏、汽车照明、特种照明等各个领域。四元AlGaInP材料随着波长的变短,有源层Al组分 不断升高,Al原子与氧或碳原子结合导致材料产生严重的晶格缺陷,发光效率下降;另一 方面黄绿光的能带由于Al组分的比例提高,能隙由直接能隙逐步转变成间接能隙,内量子 效率进一步大幅下降,致使黄绿光波段LED产品光效较低;同时,利用有机金属气相沉积 (MOCVD)技术生产时,由于载片盘边缘外延沉积效率差,外延片生长后边缘性能差,生产良 率低,此类问题在工艺窗口更极限的黄绿光波段体现更为明显。 传统的AlGaInP四元系黄绿光LED,如图1,在GaAs衬底11上,自下而上依次生长 为缓冲层12、布拉格反射层13、第一限制层14、非掺杂有源层15、第二限制层16和GaP窗 口层17。此结构由于黄绿光波段自身的有源层材料能隙极限,难以得到高效的电子空穴复 合效率,技术人员为提高电子空穴在有源层俘获,提高内量子效率,一般采用增加有源层超 晶格对数,但是此类工艺提升亮度有限,且由于有源层厚度增加,PN结势垒电容降低,会使 器件的ESD抗静电性能变差;同时该工艺由于窗口窄,生产时边缘由于外延沉积效率差,夕卜 延片边缘良率低的问题凸显。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术旨在提供一种可提升产品合格率、保持发光效率的 黄绿光LED。 本技术包括在G ...
【技术保护点】
一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED,包括在GaAs衬底的一面生长的缓冲层、布拉格反射层、第一限制层、非掺杂超晶格第一有源层、第二限制层、GaP窗口层,在GaP窗口层上设置有第一电极,在GaAs衬底的另一面设置有第二电极;其特征在于:在非掺杂超晶格第一有源层和第二限制层之间生长掺杂宽势垒结构层和非掺杂超晶格第二有源层。
【技术特征摘要】
1. 一种含掺杂宽势鱼结构的黄绿光LED,包括在GaAs衬底的一面生长的缓冲层、布拉 格反射层、第一限制层、非掺杂超晶格第一有源层、第二限制层、GaP窗口层,在GaP窗口层 上设置有第一电极,在GaAs衬底的另一面设置有第二电极;其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:林鸿亮,李全素,徐培强,杨凯,张双翔,张银桥,王向武,李忠辉,
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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