一种太阳能电池片的生产工艺制造技术

技术编号:13995630 阅读:170 留言:0更新日期:2016-11-15 02:32
本发明专利技术公开了一种太阳能电池片的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:硅片的检测、表面制绒、清洗、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、烧结和镀反射膜,本发明专利技术通过采用特殊的表面制绒、扩散制结的生产工艺,从而增加了太阳能电池片的光能利用率;本发明专利技术还通过增加了背面镀反射膜工艺,从而使透过太阳能电池片的光线,重新被二次利用,进而增加了太阳能电池片的光能利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池的领域,特别是一种太阳能电池片的生产工艺

技术介绍
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源,也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。为此,人们研制和开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,太阳电池是将太阳光能直接转换为电能的半导体器件,太阳能电池片的是太阳能电池的重要组成部分,太阳能电池片一般分为单晶电池片和多晶电池片两种,由于太阳能电池片的生产工艺的不足,现有太阳能电池片一般光能利用率都较差。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术存在的上述不足,本专利技术提出了一种太阳能电池片的生产工艺,本专利技术通过采用特殊的生产工艺,从而大大提高了太阳能电池片的光能利用率。为了实现上述目的,本专利技术提出了一种太阳能电池片的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:a)硅片的检测:首先来料硅片的表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹进行检测;b)表面制绒:将步骤a)检测合格的硅片放入制绒溶液中,进行表面腐蚀制绒;c)清洗:将步骤b)表面制绒后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中进行清洗;d)扩散制结:将步骤c)清洗后的硅片放入扩散炉中进行扩散制结;e)去磷硅玻璃:将步骤d)扩散制结后的硅片,放入HF酸中浸泡,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃;f)等离子刻蚀:将步骤e)处理过后的硅片,进行等离子刻蚀处理,以去除硅片边缘的PN结;g)镀减反射膜:将步骤f)等离子刻蚀处理后的硅片,在PECVD设备上,镀一层减反射膜;h)丝网印刷:将步骤g)做镀减反射膜处理后的硅片,在丝网印刷上制备正负电机;i)烧结:将步骤h)丝网印刷后的硅片,放入烧结炉中做烧结处理,从而得到粗制太阳能电池片;j)镀反射膜:将步骤i)粗制太阳能电池片的背面电极的一面,镀一层银反射膜,并淋层保护漆,从而得到太阳能电池片。作为优选,所述步骤b)的制绒溶液,在制造单晶太阳能电池片时,采用的是NaOH、Na2SiO3、IPA的混合溶液,在制造多晶太阳能电池片时,采用的是HNO3和HF的混合溶液。作为优选,所述步骤b)的腐蚀制绒的制绒温度为70℃-80℃,所述步骤d)扩散制结时的温度为850℃-900℃。作为优选,所述步骤g)镀减反射膜的厚度为70nm-75nm,所述步骤d)扩散制结中,采用的扩散源为POCl3。本专利技术的有益结果:本专利技术通过采用特殊的表面制绒、扩散制结的生产工艺,从而增加了太阳能电池片的光能利用率;本专利技术还通过增加了背面镀反射膜工艺,从而使透过太阳能电池片的光线,重新被二次利用,进而增加了太阳能电池片的光能利用率。【具体实施方式】本专利技术提出了一种太阳能电池片的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:a)硅片的检测:首先来料硅片的表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹进行检测;b)表面制绒:将步骤a)检测合格的硅片放入制绒溶液中,进行表面腐蚀制绒;c)清洗:将步骤b)表面制绒后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中进行清洗;d)扩散制结:将步骤c)清洗后的硅片放入扩散炉中进行扩散制结;e)去磷硅玻璃:将步骤d)扩散制结后的硅片,放入HF酸中浸泡,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃;f)等离子刻蚀:将步骤e)处理过后的硅片,进行等离子刻蚀处理,以去除硅片边缘的PN结;g)镀减反射膜:将步骤f)等离子刻蚀处理后的硅片,在PECVD设备上,镀一层减反射膜;h)丝网印刷:将步骤g)做镀减反射膜处理后的硅片,在丝网印刷上制备正负电机;i)烧结:将步骤h)丝网印刷后的硅片,放入烧结炉中做烧结处理,从而得到粗制太阳能电池片;j)镀反射膜:将步骤i)粗制太阳能电池片的背面电极的一面,镀一层银反射膜,并淋层保护漆,从而得到太阳能电池片,所述步骤b)的制绒溶液,在制造单晶太阳能电池片时,采用的是NaOH、Na2SiO3、IPA的混合溶液,在制造多晶太阳能电池片时,采用的是HNO3和HF的混合溶液,所述步骤b)的腐蚀制绒的制绒温度为70℃-80℃,所述步骤d)扩散制结时的温度为850℃-900℃,所述步骤g)镀减反射膜的厚度为70nm-75nm,所述步骤d)扩散制结中,采用的扩散源为POCl3。本专利技术通过采用特殊的表面制绒、扩散制结的生产工艺,从而增加了太阳能电池片的光能利用率;本专利技术还通过增加了背面镀反射膜工艺,从而使透过太阳能电池片的光线,重新被二次利用,进而增加了太阳能电池片的光能利用率。上述实施例是对本专利技术的说明,不是对本专利技术的限定,任何对本专利技术简单变换后的方案均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池片的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:a)硅片的检测:首先来料硅片的表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹进行检测;b)表面制绒:将步骤a)检测合格的硅片放入制绒溶液中,进行表面腐蚀制绒;c)清洗:将步骤b)表面制绒后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中进行清洗;d)扩散制结:将步骤c)清洗后的硅片放入扩散炉中进行扩散制结;e)去磷硅玻璃:将步骤d)扩散制结后的硅片,放入HF酸中浸泡,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃;f)等离子刻蚀:将步骤e)处理过后的硅片,进行等离子刻蚀处理,以去除硅片边缘的PN结;g)镀减反射膜:将步骤f)等离子刻蚀处理后的硅片,在PECVD设备上,镀一层减反射膜;h)丝网印刷:将步骤g)做镀减反射膜处理后的硅片,在丝网印刷上制备正负电机;i)烧结:将步骤h)丝网印刷后的硅片,放入烧结炉中做烧结处理,从而得到粗制太阳能电池片;j)镀反射膜:将步骤i)粗制太阳能电池片的背面电极的一面,镀一层银反射膜,并淋层保护漆,从而得到太阳能电池片。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片的生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:a)硅片的检测:首先来料硅片的表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹进行检测;b)表面制绒:将步骤a)检测合格的硅片放入制绒溶液中,进行表面腐蚀制绒;c)清洗:将步骤b)表面制绒后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中进行清洗;d)扩散制结:将步骤c)清洗后的硅片放入扩散炉中进行扩散制结;e)去磷硅玻璃:将步骤d)扩散制结后的硅片,放入HF酸中浸泡,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃;f)等离子刻蚀:将步骤e)处理过后的硅片,进行等离子刻蚀处理,以去除硅片边缘的PN结;g)镀减反射膜:将步骤f)等离子刻蚀处理后的硅片,在PECVD设备上,镀一层减反射膜;h)丝网印刷:将步骤g)做镀减反射膜处理后的硅片,在丝网印刷上制备正负电机;i)烧结:...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵华飞
申请(专利权)人:浙江中晶新能源有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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