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本发明涉及硅片表面处理方法领域，特别是一种去除ＲＩＥ制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法，其利用ＣＨ３ＣＯＯＨ稀释的ＨＮＯ３、ＨＦ的混合酸性液体对ＲＩＥ后的硅片进行清洗，其中ＣＨ３ＣＯＯＨ的体积百分比为０．１－１０％，ＨＮＯ３的体积百分比为８５...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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