使用空阱及满阱来组态及制造的半导体结构制造技术

本发明专利技术提供一种充当半导体制造平台核心的半导体结构，该半导体结构会结合由多个电子元件，明确地说，绝缘栅场效应晶体管(IGFET)，不同程度所使用的空阱区和满阱区，以实现所需的电子特征。空阱顶端附近的半导体阱掺杂物的数量非常少。满阱顶端附近的半导体阱掺杂物的数量非常大。一部分IGFET(100、102、112、114、124、以及126)运用空阱(180、182、192、194、204、以及206)实现所需的晶体管特征。其它IGFET(108、110、116、118、120、以及122)则运用满阱(188、190、196、198、200、以及202)实现所需的晶体管特征。结合空阱与满阱使得半导体制造平台提供各式各样高性能的IGFET，电路设计者能够从中选择用于各种模拟应用和数字应用(包含混合信号应用)的IGFET。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体技术，特别是绝缘栅类型的场效应晶体管(FET)。除非另外提及，否则，下文所述的所有绝缘栅场效应晶体管(IGFET)皆为表面-沟道增强模式IGFET。
技术介绍
IGFET是一种半导体装置，其中栅极介电层会电气绝缘栅极电极以及延伸在源极区带和漏极区带之间的沟道区带。增强模式IGFET中的沟道区带是主体区(其通常被称为基板或是基板区)的一部分，其会和源极及漏极形成各自的Pn结。在增强模式IGFET中， 该沟道区带由源极和漏极之间的所有半导体材料组成。在IGFET操作期间，电荷载流子会沿着上方半导体表面经由该沟道区带所诱发的沟道从源极移动至漏极。临界电压为在给定的临界(最小)导通电流定义下该IGFET开始导通电流时的栅-源电压的数值。沟道长度为沿着该上方半导体表面介于源极和漏极之间的距离。IGFET应用于集成电路(IC)中以执行各种数字和模拟功能。因为IC操作功能已经发展许多年，所以IGFET已经变得越来越小，从而导致最小沟道长度逐渐减小。以IGFET 的标准模式所规定的方式来操作的IGFET通常具有“长沟道”装置的特征。当IGFET的沟道长度缩减到让该IGFET的行本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体结构，包括：具有上方表面的半导体主体的主体材料的第一阱区和第二阱区，该主体材料会被第一导电类型的半导体掺杂物掺杂，以便成为第一导电类型；以及与位于沿着半导体主体的上方半导体表面中的第一导电类型相反的第二导电类型的第一区带和第二区带，该第一阱区和第二阱区分别延伸在第一区带和第二区带的下方并且分别交会该第一区带和第二区带，以便分别和该第一区带和第二区带形成第一ｐｎ结与第二ｐｎ结，使得（ａ）每一个ｐｎ结会在该主体的上方表面下方抵达最大深度，（ｂ）该第一导电类型的掺杂物会出现在两个区带中且所具有的浓度会在各自的第一子表面最大浓度位置及第二子表面最大浓度位置处局部达到第一子表面最大浓度和第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：康斯坦丁·布卢恰，桑迪普·R·巴尔，威廉·D·弗伦奇，杰恩均·杨，唐纳德·M·阿谢尔，D·考特尼·帕克，普拉萨德·查帕腊拉，
申请(专利权)人：国家半导体公司，
类型：发明
国别省市：US