半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，包括：第1导电型半导体层；第2导电型的多个主体区域，在从上述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与上述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第1导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与上述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，形成在上述半导体层上；和栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，在上述半导体层，通过从其表面向下挖掘以形成横跨在彼此相邻的2个上述源极区域之间的槽，由上述栅极绝缘膜覆盖上述槽的内面，上述栅极电极具有与上述半导体的表面对置的表面对置部以及在上述槽中埋设的埋设部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备晶体管的半导体装置。
技术介绍
SiC (碳化硅)半导体在绝缘击穿耐性和热传导率等方面较为优异，作为适合用于混合动力汽车的逆变器等的半导体备受关注。例如，使用了SiC 半导体的逆变器具有 M0SFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。这种SiC半导体装置包括SiC基板、在SiC基板上层叠的N型 SiC外延层。在SiC外延层的表层部，彼此空出间隔形成多个P型的主体区域(阱区域)。 在各主体区域的表层部，与主体区域的周缘空出间隔形成N型的源极区域。在SiC外延层上，形成由N型多晶硅(掺杂了N型杂质之后的多晶硅)构成的栅极电极。栅极电极隔着栅极氧化膜与主体区域的周缘和源极区域的周缘之间的区域(沟道区域)对置。在源极区域的内侧，P+型的主体接触区域在深度方向贯穿源极区域形成。在SiC外延层上，形成层间绝缘膜。栅极电极被层间绝缘膜覆盖。在层间绝缘膜上，形成源极电极。源极电极经由在层间绝缘膜上选择性形成的接触孔连接于源极区域和主体接触区域。在源极电极接地，对在SiC基板的背面形成的漏极电极被施加正电压的状本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体装置，其包括：第１导电型的半导体层；第２导电型的多个主体区域，在从所述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与所述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第１导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与所述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，在所述半导体层上形成；和栅极电极，在所述栅极绝缘膜上形成，在所述半导体层中，通过从其表面向下挖掘，形成横跨在彼此相邻的２个所述源极区域之间的槽，由所述栅极绝缘膜覆盖所述槽的内面，所述栅极电极具有与所述半导体层的表面对置的表面对置部以及埋设在所述槽中的埋设部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中野佑纪，箕谷周平，三浦峰生，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP