半导体发光元件及其制造方法技术

一种半导体发光元件，其具备：氮化物半导体层(101)，其具有第一覆层(111)，活性层(113)以及第二覆层(116)；以及电流阻挡层(121)，其对活性层(113)选择性地注入电流。第二覆层(116)具有条纹状的山脊部(116a)。电流阻挡层(121)在山脊部(116a)的两侧区域分别形成，且由具有结晶构造的氧化锌构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，尤其是涉及利用了氮化物半导体的。
技术介绍
利用了由III族元素的铝(Al)、铟(In)以及镓(Ga)与V族元素的氮(N)构成的氮化物半导体的半导体发光元件，具有小型、价廉以及高输出这样的优良特征。由此，不仅被应用于光盘等高密度信息记录技术，还被应用于图像显示、医疗以及照明等广泛的
例如，在便携式投影机等的图像显示装置的领域中，出射光的指向性较高的半导体激光元件以及超发光二极管(SLD)等的发光元件作为光源，受到人们关注。在作为图像显示装置的光源来使用的情况下，需要有发光波长为430nm 480nm的纯蓝色的发光元件以及 480nm 550nm的纯绿色的发光元件。由此，为了实现这些波长的半导体发光元件，人们正积极地开展研究及开发。另外，作为高密度光盘的光源，使用发光波长为400nm 410nm的蓝紫色的半导体激光元件。从而，如何提高蓝紫色的半导体激光元件的特性也就成为重要的开发课题。为了获得高指向性的出射光，一般来说，利用了氮化物半导体的发光元件具有光波导。另外，利用了氮化物半导体的发光元件由于要求实现高输出动作以及低功耗动作，在波导，采用山脊构造。在山本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体发光元件，其具备：氮化物半导体层，其形成于基板上，并具有第一覆层、活性层以及第二覆层；以及电流阻挡层，其用于对所述活性层选择性地注入电流，其中，所述第二覆层具有条纹状的山脊部，所述电流阻挡层在所述山脊部的两侧区域分别形成，且所述电流阻挡层由具有结晶构造的氧化锌构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：萩野裕幸，大野启，山中一彦，长尾宣明，滨田贵裕，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP