使四卤化硅及硅氢化成三卤硅烷的装置和方法制造方法及图纸

一种用于使四卤化硅及冶金级硅（ＭＧＳ）氢化成三卤硅烷的反应器，其包括由冶金硅颗粒构成的底座、一个或多个进气口、一个或多个固体进口、一个或多个固体排出口及一个或多个用于从反应器中移除三卤硅烷的端口。由于进入反应器的四卤化硅／氢气进料流中夹带进料硅颗粒以及在所述硅颗粒构成的底座上碰撞所述流而引起内部磨削及磨蚀，使底座颗粒上可形成新生表面。这样具有的优点为较高的三卤硅烷产率、较高的ＭＧＳ燃耗率、可将废ＭＧＳ作为在离开反应器的三卤硅烷排出物中所携带的细粉尘而去除、以及在停机进行底座移除之间间隔的时间较长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体涉及生产高纯度硅的领域，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
三卤硅烷，诸如SiHCl3及SiHBr3，最初是通过在约350°C的温度及大约在大气压下，使硅与相应的卤化氢(HCl或HBr)起化学反应而制成。所述反应的产率通常极高，文献所示的产率超过90%，而剩余的则为四卤化硅。最常用的三卤硅烷为三氯硅烷，其可纯化和分解以形成极纯的硅。该分解反应亦会形成四卤化硅，其因此会在过程中积聚。业已有人采用各种不同的措施来使四卤化硅的产生最小化，诸如再循环四卤化物及在分解反应器内使用大量的过量的氢气。所述过量的四卤化物还可氧化成无定形硅石，而产生的卤素气体则会被洗涤。更近期的基于DOE/JPL的研究和在Breneman的US 4676967中所述的新方案，是通过于高温高压下使过量的四卤化硅与氢气及硅在具有铜催化剂的情况下起化学反应，以便将所述四商化硅转化为三商硅烷。在Breneman的US 4676967中揭示的现有氢化技术在约400 "C -600 "C及 300-600psi (pound per square inch，磅/平方英寸)下，在位于混合压力通风系统上方的包含分配装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种使四卤化硅及硅氢化成三卤硅烷的装置，所述装置包括无内流分布器的压力容器、一个或多个进气口、一个或多个固体进口、一个或多个固体排出口、以及一个或多个用于气体／固体混合物的出口、多个围封在所述压力容器之内的冶金级硅颗粒。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·M·劳德，
申请(专利权)人：劳德有限公司，
类型：发明
国别省市：US