有害化合物的无害化方法及有机半导体元素化合物的制造方法技术

技术编号:7156687 阅读:186 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种利用有机钴络合物使有害的砷、锑和硒化合物无害化的方法,该方法能够对成本方面进行改善。本发明专利技术涉及一种有害化合物的无害化方法,该方法包括:对含有钴作为中心金属并含有咕啉环作为配体的有机钴络合物、甲基供体、二氧化钛光催化剂和有害化合物进行光照射,从而使有害化合物甲基化,该有害化合物含有砷原子、锑原子或硒原子。本发明专利技术中,优选使有害化合物三甲基化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通过对含有砷原子、锑原子或硒原子的有害化合物进行甲基化而使其无害化的方法。另外,本专利技术涉及含有半导体元素的有机化合物(以下,有时称为有机半导体元素化合物)的制造方法。
技术介绍
砷、锑、硒等元素是广泛用作半导体等工业材料的元素,由于对生物具有毒性,因此担心因流出到环境中而对生物造成影响。以往,作为除去这些元素的方法,通常已知以下方法向含有有毒的亚砷酸等无机砷的废水中添加聚合氯化铝(PAC)等絮凝剂,在砷被絮凝、吸附至该絮凝剂与原水中的铁成分后加以沉淀,然后通过过滤去除的方法;或用活性氧化铝、铈类吸附剂来吸附砷化合物等的方法;等。近年来,本专利技术人等提出了一种使用有机钴络合物(维生素B12类化合物)对有害的砷、锑和硒化合物进行烷基化从而使其无害化的方法(例如,参见专利文献1和幻。利用这些方法,能够容易、简便且高效率地使有害的砷、锑和硒化合物无害化。现有技术文献专利文献专利文献1 国际公开第2008/012948号国际公开文本专利文献2 日本特开2008-50265号公报
技术实现思路
但是,在上述方法中,相对于有害的砷、锑和硒化合物,实际上需要使用3当量以上的有机钴络本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有害化合物的无害化方法,其中,该方法包括:对含有钴作为中心金属并含有咕啉环作为配体的有机钴络合物、甲基供体、二氧化钛光催化剂和有害化合物进行光照射,从而使有害化合物甲基化,该有害化合物含有砷原子、锑原子或硒原子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:中村浩一郎
申请(专利权)人:日本板硝子株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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