【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及CMP研磨工艺，更具体地涉及用于在研磨氮化硅膜中使用的用于研磨氮化硅的组合物及使用所述组合物控制选择比的方法。
技术介绍
CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光法)为半导体工艺中的重要关键技术，且特别地，将其视为实施用于高密度配线的多层配线结构不可或缺的技术。CMP涵盖多种工艺对象，其实例包括用于层间绝缘膜或埋入绝缘膜的二氧化硅 (SiO2),诸如作为配线层或连接这样的配线层的插座使用的铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)的金属，诸如用于防止金属扩散的钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钛(Ti)的屏蔽金属层(barrier metal layer)，用于形成沟槽型电容器的多晶硅，被形成蚀刻掩模的氮化硅(SiN)。为了对这些不同类型的加工对象实施最佳研磨，必需以各种对象为基础对研磨垫或研磨组合物进行最优化。在半导体工艺的形成配线的过程中，对硅晶片实施使用含氯气体的RIE(Reactive Ion Etching,反应性离子蚀刻)，以形成对应于目标配线图案的槽以及对应于目标插座的孔。然后，在所述槽和孔的内壁面上形成...
【技术保护点】
１．用于研磨氮化硅的组合物，其包含：１）硅胶；以及２）由磷酸化合物和硫酸化合物组成的研磨助剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中利香，
申请(专利权)人：霓达哈斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP
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