本发明专利技术抑制了由于在介电体层两侧彼此相对的电极之间的位移而导致的电容变化，从而能够稳定地制造出具有所期望电容的电容装置。本发明专利技术的电容装置所具有的结构包括介电体层（１０）、第一电极（１１）以及第二电极（１２），所述第一电极（１１）形成于所述介电体层（１０）的预定表面（１０ａ）上，所述第二电极（１２）形成于所述介电体层（１０）的与所述预定表面（１０ａ）相对的那一侧的表面（１０ｂ）上。所述第一电极（１１）及所述第二电极（１２）的形状被设定成：即使在所述第一电极（１１）相对于所述第二电极（１２）沿着预定方向在位置上发生相对位移的情况下，所述第一电极（１１）与所述第二电极（１２）二者的对置电极区域的面积也不会改变。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电容装置及包含该电容装置的谐振电路，更具体而言，涉及具有例如 PF(皮法)量级的小电容的电容装置及包含该电容装置的谐振电路。
技术介绍
传统上，一直使用着可变电容装置，这种可变电容装置的电容能通过从外部施加偏压信号而改变，从而对输入信号的频率、时期等进行控制。可以商购获得此种可变电容装置，例如可变电容二极管(变容二极管；varicap)以及微机电系统(Micro Electro Mechanical System ；MEMS)。另外，传统上，已提出了一种在非接触式集成电路antegrated Circuit ；IC)卡中使用上述可变电容装置作为保护电路的技术(参见例如文献PTL1)。根据文献PTL 1 中所述的技术，使用可变电容装置作为保护电路，以防止当非接触式IC卡靠近其读写器 (reader/writer)时由耐受电压低的半导体装置制成的控制电路受到过大的接收信号的破坏。图60为文献PTL 1中所提出的非接触式IC卡的结构框图。在文献PTL 1中，使用可变电容二极管303d作为可变电容装置。偏压除去用电容器303c和可变电容二极管303d 的串联电路被并联连接至谐振电路，该谐振电路包括线圈303a及电容器30北。在文献PTL 1中，通过在检波电路313中对接收信号进行检测而获得的直流(DC) 电压Vout在电阻器31 与电阻器314b 二者之间进行电阻分压。然后，经过电阻分压之后的DC电压(施加在电阻器314b两端上的DC电压)经由用于消除DC电压中的波动的线圈 315而被施加到可变电容二极管303d，从而调整可变电容二极管303d的电容。换句话说， 使用经过电阻分压后的DC电压作为可变电容二极管303d的控制电压。在文献PTL 1中，当接收信号过大时，可变电容二极管303d的电容由于上述控制电压而变小，因此接收天线303的谐振频率升高。结果，在电容变化以前的接收天线303的谐振频率f(l下的接收信号的响应值变得低于在电容减小之前的响应值，从而能够抑制接收信号的电平。根据文献PTL 1中所提出的技术，利用可变电容装置以此方式保护着信号处理单元320(控制电路)。本专利技术人还提出了一种使用铁电体材料(强介电体材料)的装置作为可变电容装置(参见例如文献PTL 2)。文献PTL 2提出了一种具有如图61的(A)及(B)所示的电极结构的可变电容装置400，以提高可靠性及生产率。图61的(A)为可变电容装置400的示意性立体图，并且图61的(B)为可变电容装置400的剖面图。在根据文献PTL 2的可变电容装置400中，长方体形状的介电体层404的四个表面每一者上分别设置有端子。在这四个端子中，一侧的两个相对端子是连接至信号电源403的信号端子403a及40 ，并且另一侧的两个相对端子是连接至控制电源402的控制端子40 及402b。如图61的(B)所示，可变电容装置400具有如下的内部结构多个控制电极402c 至402g以及多个信号电极403c至403f通过介电体层404而交替地层叠着。具体而言，从底层往上，控制电极402g、信号电极403f、控制电极402f、信号电极40;3e、控制电极40 、信号电极403d、控制电极402d、信号电极403c、以及控制电极402c通过介电体层404以上述顺序层叠着。在图61的(B)所示的实例中，控制电极402g、控制电极40 以及控制电极 402c连接至控制端子40加，控制电极402f以及控制电极402d连接至另一控制端子402b， 并且信号电极403f以及信号电极403d连接至信号端子403a。此外，信号电极40 以及信号电极403c连接至另一信号端子40北。在文献PTL 2的可变电容装置400的情形中，电压可被分别施加到控制端子和信号端子，并且多个信号电极及多个控制电极层叠在可变电容装置400内，这就有能够以低成本增大电容的优点。另外，具有文献PTL 2中所述结构的可变电容装置400能够容易地制造出来并且成本低。进一步，在文献PTL 2的可变电容装置400的情形中，不需要偏压除去用电容器。引证文献列表PTL 1 日本专利申请特开平第08-7059号PTL 2 日本专利申请特开平第2007-287996号
技术实现思路
使用相对介电常数大的铁电体材料来制造电容小的可变电容装置时，需要通过增大介电体层的厚度来增大电极之间的距离、或需要减小对置电极的面积。然而，介电体层的厚度增大会导致施加给介电体层的电场的强度减小，因此改变可变电容装置的电容时所需的控制电压变高了。另一方面，如果不增大介电体层的厚度而是减小电极面积，则可变电容装置的电阻值增大。由于可变电容装置的电阻与电极的层数成反比，因此为了克服上述问题，传统上通过增加介电体层的数量以增加形成于这些介电体层两侧上的电极的层数。然而，在此种情形中，如果在每一介电体层两侧彼此相对的电极之间出现位移，则每一层处的电容会改变。结果，所存在的一个问题是各个可变电容装置间的电容差异变大了，因此无法稳定地制造出具有所期望电容的可变电容装置。不管可变电容装置是如文献PTL 1中所提出的未额外设置有控制端子的二端子型可变电容装置，还是如文献PTL 2中所提出的额外设置有控制端子的四端子型可变电容装置，同样会出现上述问题。进一步，各个可变电容装置间的电容差异的问题并不限于可变电容装置，同样也会出现在不管输入信号的类型(交流(AC)或DC)及其信号电平如何而电容几乎不变的电容装置中。本专利技术旨在解决上述问题，并且本专利技术的目的是抑制由于在介电体层两侧彼此相对的电极之间的位移而造成的电容变化，从而可稳定地制造出具有所期望电容的电容装置。为解决上述问题，本专利技术的电容装置包括介电体层、第一电极以及第二电极，所述第一电极形成于所述介电体层的预定表面上，所述第二电极形成于所述介电体层的与所述预定表面相对的对置表面上。所述第一电极以预定的第一形状形成。所述第二电极具有第一区域，该第一区域与通过将所述第一电极投影到所述对置表面上而获得的投影图案重叠，并且所述第二电极以第二形状形成，使得即使当所述第一电极沿着所述预定表面内的预定方向经历相对位移时，所述第一区域的面积也不会改变。本专利技术中，即使在第一电极相对于第二电极沿着预定方向经历相对位移的情况下，通过将第一电极投影到第二电极侧上而获得的投影图案与第二电极相互重叠的区域 (第一区域)的面积也不会改变。因此，根据本专利技术的实施例，可抑制由于形成于介电体层两侧上的电极之间的位移而造成的电容变化，从而能够稳定地制造出具有所期望电容的电容装置。附图说明图1为层叠式电容器的结构示意图。图2为可变电容器的剖面示意图。图3的㈧为可变电容器的俯视图，并且图3的⑶为可变电容器的仰视图。图4的(A)显示了当不存在位移时上电极的投影图案与下电极之间的重叠状态， 图4的(B)显示了当上电极沿着+y方向位移时上电极的投影图案与下电极之间的重叠状态，并且图4的(C)显示了当上电极沿着_y方向位移时上电极的投影图案与下电极之间的重叠状态。图5的(A)显示了当不存在位移时上电极的投影图案与下电极之间的重叠状态， 图5的(B)显示了当上电极沿着+χ方向位移时上电极的投影图案与下电极之间的重叠状态，并且图5的(C)显示了当上电极本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种电容装置，包括：介电体层；第一电极，所述第一电极按照预定的第一形状形成于所述介电体层的预定表面上；以及第二电极，所述第二电极形成于所述介电体层的与所述预定表面相对的对置表面上，所述第二电极具有第一区域，所述第一区域与通过将所述第一电极投影到所述对置表面上而获得的投影图案重叠，并且，所述第二电极按照第二形状形成，使得即使当所述第一电极沿着所述预定表面内的预定方向经历相对位移时，所述第一区域的面积也不会改变。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：管野正喜，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP
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