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本发明抑制了由于在介电体层两侧彼此相对的电极之间的位移而导致的电容变化，从而能够稳定地制造出具有所期望电容的电容装置。本发明的电容装置所具有的结构包括介电体层（１０）、第一电极（１１）以及第二电极（１２），所述第一电极（１１）形成于所述介电...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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