电容装置和谐振电路制造方法及图纸

本发明专利技术提供了能够精确地确保电容值的电容装置、能够确保足够的电容变化率的可变电容装置以及利用该电容装置的谐振电路。根据本发明专利技术的电容装置包括：电容装置主体（2），该电容装置主体（2）由介电层（4）和夹置介电层（4）并在介电层中（4）产生期望电场的至少一对电容装置电极（3）组成；应力调整部（9a，9b），用于调整在电容装置主体（2）的介电层（4）中产生的应力。

【技术实现步骤摘要】
电容装置和谐振电路本案是母案为如下申请的分案申请: 申请日:2010年7月27日 申请号:201080033429.0 专利技术名称:电容装置和谐振电路。
本专利技术涉及电容装置以及配置有该电容装置的谐振电路，更具体地，涉及能够调整使用中的电容装置中产生的应力的电容装置以及谐振电路。
技术介绍
近年来，随着电子设备的小型化及其可靠性增强，作为在电子设备中使用的电子元件，需求开发小型化电容装置。为了使电容装置的尺寸减小而容量增大，提出了多层陶瓷电容器，在该多层陶瓷电容器中，外部电极形成在其中交替层叠有介电层和内部电极层的多层介电装置主体中(专利文献I)。 专利文献I描述了通过将残余应力最终施加至制造的多层陶瓷电容器的多层介电装置主体，来使得介电常数和将获得的电容增加。此外，，由于通过如上所述将残余应力最终施加至多层陶瓷电容器的多层介电装置主体，而使得介电常数增加，所以，进一步的小型化变得可能。 专利文献1:W0 2005/050679。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题顺便提及，当对于要使用的各个电容装置，电容不同时，存在不能精确确保电子设备的性能的问题。因此，存在对使用电容装置时将电容调整为相同的需求。 此外，尽管近年来正在开发使用其电容根据所施加的控制电压改变的介电层的电容装置(可变电容装置)，但是在这种可变电容装置中，存在还要确保对于小控制电压也有足够变化率的需求。 鉴于上述的情况，本专利技术提供了一种能够精确地确保电容值的电容装置、能够确保足够的电容变化率的可变电容装置以及使用这些电容装置的谐振电路。 解决问题采取的手段为了解决上述问题并实现上述目标，根据本专利技术实施方式的电容装置包括:电容装置主体，该电容装置主体由介电层和夹置介电层并在介电层中产生期望电场的至少一对电容装置电极；以及应力调整部，用于调整在电容装置主体的介电层中产生的应力。 在根据本专利技术的电容装置中，可以通过应力调整部调整电容装置主体的介电层中产生的应力。结果，可以控制相对介电常数、介电损耗等的特性。 [0011 ] 根据本专利技术的谐振电路包括谐振电容器和连接至谐振电容器的谐振线圈。谐振电容器包括:包括电容装置主体的电容装置，其中该电容装置主体包括介电层和夹置介电层并在介电层中产生期望电场的至少一对电容装置电极；以及应力调整部，用于调整电容装置主体的介电层中产生的应力。 本专利技术的效果根据本专利技术，可以获得其电容值被精确调整的电容装置。此外，在使用其电容根据从外部施加到介电层的控制电压而改变的介电材料的情况下，提高了电容变化率。此外，通过在谐振电路中使用这种电容装置，可以改善谐振电路的性能。 【附图说明】 图1是根据本专利技术第一实施方式的可变电容装置的示意性截面图；图2是构成可变电容装置的可变电容装置主体的示意性平面图；图3是根据第一实施方式的可变电容装置的等效电路图；图4是在可变电容装置运行的情况下包括信号电压电源、控制电压电源以及应力调整电压电源的电路结构图；图5是根据本专利技术第二实施方式的可变电容装置的示意性截面图；图6是根据本专利技术第三实施方式的可变电容装置的示意性截面图；图7是根据本专利技术第四实施方式的可变电容装置的示意性截面图；图8是根据比较例的可变电容装置的示意性截面图；图9A和图9B是示出将DC偏压作为控制电压施加至实施例1的可变电容装置和比较例的可变电容装置的情况下，电容和电容变化率的变化的示图；图10是根据本专利技术第五实施方式的可变电容装置的示意性截面图；图1lA和图1lB是示出将DC偏压作为控制电压施加至实施例2的可变电容装置的情况下，电容和电容变化率的变化的示图；图12是根据本专利技术第六实施方式的可变电容装置的示意性截面图；图13是根据本专利技术第七实施方式的使用谐振电路的非接触IC卡的接收系统中的电路部的框图；以及图14是用于说明原理的可变电容装置的示意性截面图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照附图描述根据本专利技术实施方式的电容装置以及配置有该电容装置的电子设备的示例。本专利技术的实施方式将以如下顺序描述。应该注意的是，本专利技术不限于以下的示例。1.第一实施方式:本专利技术应用于可变电容装置的示例 1-1原理1-2可变电容装置的结构 1-3可变电容装置的制造方法 1-4可变电容装置的操作2.第二实施方式:本专利技术应用于可变电容装置的示例3.第三实施方式:本专利技术应用于可变电容装置的示例 4.第四实施方式:本专利技术应用于可变电容装置的示例5.第五实施方式:本专利技术应用于可变电容装置的示例6.第六实施方式:本专利技术应用于可变电容装置的示例7.第七实施方式:配置有本专利技术的可变电容装置的电子设备的示例。 (1.第一实施方式)(1-1原理) 在描述根据本专利技术第一实施方式的可变电容装置之前，为了帮助理解该可变电容装置，将参照图14描述该实施方式的原理。 图14是示出用于说明其原理的现有技术的可变电容装置的示意性截面图。图14中示出的可变电容装置100由介电层103和夹置介电层103之间的至少一对电极101和102构成。此外，电极101作为一个电极连接至一个外部端子104，另一个电极102连接至另一外部端子105。 在可变电容装置100中，介电层103由铁电(ferroelectric)材料形成,并且电容由于对应于从外部施加的控制电压极化状态变化而变化。 在图14中示出的可变电容装置100中，由铁电材料形成的烧结物(sinter)通常用作本专利技术以及现有技术中形成介电层103的铁电材料。当钛酸钡用作具体材料时，例如，已知介电层103的结晶状态通过施加至其上的电场而改变。在说明这样的变化之前，将描述钛酸钡的结晶结构。虽然稳定的结晶结构根据温度有所不同，但是为了理解本专利技术，以下仅给出室温情况下的结晶结构的描述。已知钛酸钡具有在C轴方向上本征极化的稳定的正方晶(tetragonal)系统。钛酸钡的烧结物是多晶的，并且其本征极化不对外部显现。原因如下。 在钛酸钡的烧结物中，存在与具有本征极化的四方晶体的微区(平行于本征极化方向的侧面)接触并在本征极化的垂直方向上的相当小的厚度范围内不具有本征极化的立方晶体，并且还存在与上述立方晶体接触并在与上述本征极化方向相对的方向上具有本征极化的四方晶体的另一微区(其中，立方晶体介于四方晶体的微区之间)。此外，在C轴方向上的立方晶体的微区的端部区域，存在立方晶体的另一微区，其中，立方晶体存在于相对于C轴方向的45度方向的相当小的厚度范围内并具有本征极化，立方晶体相对于微区的立方晶体为90度(垂直)。 此外，使得本征极化区域经由立方晶体抵消其极化的几个四方晶体的多个微区构成组区域(group area)。如上所述，在邻近的组区域中，还存在相对于组区域的主四方晶体的C轴方向平行和垂直的排列。 由于上述原因，作为钛酸钡的整个烧结物，对外不表现出极化。应该注意的是，在这种情况下，已知四方晶体的极化方向上所谓的C轴的晶格常数比原始的立方晶体的C轴的长。 将描述例如在将钛酸钡的烧结物用作形成图14中所示的可变电容装置100的介电层103的铁电材料的情况下，由于介电层103中产生的电场而引起的介电层103的结晶状态的变化。状态以多种形式变化，并且一致变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容装置，包括：电容装置主体，所述电容装置主体由介电层和夹置介电层并在所述介电层中产生期望电场的至少一对电容装置电极组成；以及第一和第二应力调整部，所述第一和第二应力调整部由应力调整介电层和层叠在所述应力调整介电层内的多个应力调整电极组成，所述第一应力调整部层叠在所述电容装置主体的介电层的厚度方向上的一个面上；所述第二应力调整部层叠在所述电容装置主体的介电层的厚度方向上的另一个面上。

【技术特征摘要】
2009.07.28 JP 2009-175919;2010.04.23 JP 2010-100371.一种电容装置，包括: 电容装置主体，所述电容装置主体由介电层和夹置介电层并在所述介电层中产生期望电场的至少一对电容装置电极组成；以及 第一和第二应力调整部，所述第一和第二应力调整部由应力调整介电层和层叠在所述应力调整介电层内的多个应力调整电极组成， 所述第一应力调整部层叠在所述电容装置主体的介电层的厚度方向上的一个面上； 所述第二应力调整部层叠在所述电容装置主体的介电层的厚度方向上的另一个面上。2.根据权利要求1所述的电容装置，其中 所述电容装置电极和所述应力调整电极彼此平行层叠； 向所述应力调整电极施加应力调整电压。3.根据权利要求2所述的电容装置，其中 施加了具有相反极性的电压的应力调整电极交替地设置在所述第一和第二应力调整部中。4.根据权利要求3所述的电容装置，其中 所述介电层由...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤则孝，管野正喜，矢岛正一，
申请(专利权)人：迪睿合电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP