【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文涉及。
技术介绍
利用半导体装置制作来形成集成电路(IC)、微机电系统(MEMS)以及其它微结构 及组合件。IC的制作可涉及将掺杂剂植入到半导体衬底中，随后激活所述掺杂剂。所述植入可包括引导半导体衬底处的掺杂剂的激发原子或分子以将所述掺杂剂 驱动到所述衬底内的所要深度，且可能损坏所述衬底。举例来说，如果所述掺杂剂被驱动到 单晶硅衬底中，那么所述衬底的一些区可由于此些区与所述掺杂剂的激发原子或分子的相 互作用而变为非晶的。所述非晶区为缺陷，且可扰乱集成电路组件的操作。因此，需要使所述非晶区再结 晶。已使用热能来使非晶区再结晶。然而，IC中所利用的许多材料对用于硅再结晶的热能 是不稳定的。如果存在此类材料，那么在不面临损坏热不稳定材料的风险的前提下热能无 法用于非晶硅的再结晶。因此，需要开发用于使非晶区再结晶的新方法。非晶区除作为在掺杂剂植入期间所诱发的缺陷外，其还可通过其它机制发生，且 在除集成电路外的其它结构中可成问题。举例来说，在MEMS中非晶区可成问题，且因此将 需要开发可应用于包含但不限于MEM制作及IC制作的半导体装置制作的多种应用的方法。已开发用...
【技术保护点】
１．一种形成半导体构造的方法，其包括：在半导体材料内提供掺杂剂；及用具有约５．８吉赫的频率的微波辐射激活所述掺杂剂，在所述掺杂剂的所述激活期间所述半导体材料的温度不超过约５００℃。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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