用于基于电阻的存储器应用的存储器装置制造方法及图纸

在特定实施例中，揭示一种存储器装置（１００），其包括存储器单元（２２６），所述存储器单元（２２６）包括耦合到存取晶体管（２３０）的基于电阻的存储器元件（２２８）。所述存取晶体管具有第一氧化物厚度以使所述存储器单元能够在操作电压下操作。所述存储器装置还包括第一放大器（２０２），所述第一放大器（２０２）经配置以将所述存储器单元耦合到大于电压限值的供应电压（Ｖａｍｐ）以基于穿过所述存储器单元的电流产生数据信号。所述第一放大器包括箝位晶体管（２１６），所述箝位晶体管（２１６）具有大于所述第一氧化物厚度的第二氧化物厚度。所述箝位晶体管经配置以防止所述存储器单元处的所述操作电压超过所述电压限值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体来说是针对一种存储器装置，其包括放大器及包括基于电阻的存储器 元件的存储器单元。
技术介绍
非易失性存储器技术的进步包括基于电阻的存储器技术，例如磁性随机存取存储 器(MRAM)。MRAM技术为采用以铁磁为基础的磁性隧道结(MTJ)作为基础存储器元件的新兴 非易失性存储器技术。MRAM的常用阵列架构为一个晶体管、一个MTJ(ITIMTJ)的架构。顾 名思义，此架构中的每一位单元由与NMOS存取晶体管串联连接的MTJ组成。为利用增加的 密度及与按比例缩小MOS技术相关联的面积减小优势，需要在MRAM位单元内使用核心晶体 管。然而，虽然将MOS技术按比例缩小到深亚微米状态对MRAM位单元产生面积及密度益处， 但在MRAM读出放大器中使用这些深亚微米装置归因于这些深亚微米装置的操作电压限制 而使MRAM读出放大器的读取性能(输出摆幅)降级。用于ITlMTJ架构的常规MRAM读出放大器设计使用核心晶体管。然而，归因于击 穿及可靠性考虑，用于核心晶体管的供应电压对于前沿深亚微米技术通常限于约1伏(V)。 以下装置堆叠于用于ITlMTJ架构的常规MRAM读出放大器设计中的供应轨之本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种存储器装置，其包含：存储器单元，其包括耦合到存取晶体管的基于电阻的存储器元件，所述存取晶体管具有第一氧化物厚度以使所述存储器单元能够在操作电压下操作；以及第一放大器，其经配置以将所述存储器单元耦合到大于电压限值的供应电压以基于穿过所述存储器单元的电流产生数据信号，其中所述第一放大器包括箝位晶体管，所述箝位晶体管具有大于所述第一氧化物厚度的第二氧化物厚度，且其中所述箝位晶体管经配置以防止所述存储器单元处的所述操作电压超过所述电压限值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿诺什·B·达维埃尔瓦拉，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US