用于改变平台温度的技术制造技术

揭示一种用于改变平台温度的技术。在一个特定示例实施例中，此技术可以被实现为用于改变平台温度的装置。此装置包括平台以及一个或者多个活动热垫，此一个或者多个活动热垫包括一个或者多个热流体通道，此热流体通道承载被配置为影响平台温度的热流体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体制造(semiconductor manufacturing)技术，尤其涉及一种用 于改变平台(platen)温度的技术。
技术介绍
离子植入(ion implantation)是一种藉由采用高能化离子(energizedion)来 直接撞击(bombardment)基板以将化学物种(chemical species)沈积(d印osit)到基 板的制程(process)。在半导体制造中，离子植入器(ion implanter)主要被用于改变目 标材料的导电(conductivity)类型和位准的掺杂制程(doping process) 0对于集成电 路(integrated circuit, IC)效能，集成电路基板以及其薄膜结构中的精确的掺杂轮廓 (dopingprofile)通常是很重要的。为了获得理想的掺杂轮廓，一个或者多个离子物种能够 以不同的能量位准以及不同的剂量(dose)被植入。图1是显示传统的离子植入器系统(ion implanter system) 100。离子植入器 100 包括电源 101、离子源(ion source) 102、萃取电极(本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于改变平台温度的装置，包括：平台；以及一个或者多个活动热垫，所述活动热垫包括一个或者多个热流体通道，所述热流体通道承载被配置为影响所述平台的温度的热流体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗傑·B·费许，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US