提供多模式离子源的技术制造技术

揭示一种提供多模式离子源的技术。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为用于离子植入的设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为ＲＦ模式。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上是有关于半导体制造装备，且更明确而言，是有关于提供多模式离 子源的技术。
技术介绍
离子植入是通过用受激(energized)离子直接轰击基板来将化学物质沉积至基 板中的制程。在半导体制造中，离子植入器主要用于掺杂制程，其更改目标材料的导电性的 类型及位准。集成电路(integrated circuit, IC)基板及其薄膜结构中的精确掺杂轮廓对 适当IC效能而言常常是至关紧要的。为达成所要掺杂轮廓(profile)，可以不同剂量且以 不同能量位准来植入一或多个离子种类。图1描绘已知离子植入器系统100。离子植入器系统100可包括离子源102及一 系列复杂的组件，离子束10可穿过所述组件。所述系列的组件可包含(例如)萃取调处器 (extraction manipulator) 104、过滤器磁铁106、加速或减速柱108、分析器磁铁110、旋转 质量狭缝(mass slit) 112、扫描器114以及校正器磁铁116。非常类似于调处光束的一系列 光学透镜，离子植入器组件可在将离子束10向目标晶圆120(位于晶圆平面12中)导引之 前，对离子束10进行过滤及聚焦。可使本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于离子植入的设备，所述设备包括：离子源，其在多种模式下操作，其中第一模式为弧放电模式，且第二模式为ＲＦ模式。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得·E·库鲁尼西，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US