【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
一般而言，本专利技术系关于积体电路的制造，尤其系关于通过使用嵌入硅/锗(Si/ Ge)形成具有应变沟道区域的晶体管以提升在晶体管之沟道区域中的电荷载子迁移率 (charge carrier mobility)。
技术介绍
复杂积体电路的制造需要大量晶体管元件的供应，这些晶体管元件代表用于设计 电路之主要的电路元件。例如，数亿个晶体管可设置在目前可利用的复杂积体电路中。一 般而言，目前实行有复数种工艺技术，其中，对于复杂电路(例如微处理器、储存晶片等)而 言，由于CMOS技术之操作速度及/或电力消耗及/或成本效益的优越特性，因此CMOS技术 是目前最有前景的方法。在CMOS电路中，互补晶体管(亦即，P沟道晶体管与N沟道晶体 管)系用于形成电路元件(例如反相器(inverter)与其他逻辑闸)以设计高度复杂电路 组件(例如CPU、储存晶片等)。在使用CMOS技术制造复杂积体电路的期间，数百万个晶体 管(亦即，N沟道晶体管与P沟道晶体管)形成在包含结晶(crystalline)半导体层之衬 底上。MOS晶体管，或一般的场效应晶体管，无论是N沟道晶体管或P沟道晶体管，都...
【技术保护点】
１．一种方法，包括下列步骤：在主动半导体区域（２０３Ａ）中形成场效应晶体管（２５０）的漏极与源极区域（２５３），该漏极与源极区域（２５３）包括应变诱发半导体合金（２５５）；将扩散阻碍物种（２５６Ａ）置于该主动半导体区域（２０３Ａ）内的空间性受限制区处，该空间性受限制区相应于由该漏极与源极区域（２５３）所形成的ＰＮ接面的至少一区段；以及退火该漏极与源极区域（２５３）以激活在该漏极与源极区域（２５３）中的掺杂物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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