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本发明为一种设有嵌入硅／锗材料而具有提升的硼拘限性的晶体管。通过将扩散阻碍物种（２５６Ａ）并入在包括硅／锗合金（２５５）的Ｐ沟道晶体管的ＰＮ接面的附近，可减少关于ＰＮ接面的非均匀性的扩散，因此促进装置稳定性的提升与整体晶体管性能的增加。能以...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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