The invention discloses a method for monitoring the temperature of injected silicon wafers, which is implemented by measuring resistance on silicon wafers having polysilicon layers. Because polycrystalline silicon injection is very sensitive to temperature, and the effect of ion channel on polycrystalline silicon is far less than in amorphous silicon, into the phenomenon more obvious, which is more sensitive to produce ions after the impact of heat, can be directly reflected in the polysilicon resistor value, the invention uses this, can establish a polysilicon resistor value corresponding to injection in the temperature, thereby to monitor the actual injection temperature value through resistance. Thus, the present method of monitoring the temperature of the injected silicon wafer is achieved by measuring resistance on a silicon wafer having a polysilicon layer.
【技术实现步骤摘要】
监测注入硅片温度的方法
本专利技术设计半导体器件工艺领域,特别涉及一种监测注入硅片温度的方法。
技术介绍
在超大规模集成电路制造中,离子注入工艺技术已得到越来越广泛的应用。表面制作有图形器件的硅片在工艺过程中受到大量离子的轰击而受热,从而导致温度逐渐增高;如果这些热量不能被及时带走,将会影响掺杂的电性,甚至导致光刻胶形态发生变化,光刻图形变形。此时再以变形后的光刻图形进行离子注入就会得到参数异常的器件,使半导体工艺失败。与此同时,注入靶盘通过循环冷却水进行降温(图1),从而保证在工艺过程中控制温度在一定范围内,比如不超过100℃。即便采用如此水冷系统,部分对工艺温度十分敏感的产品仍然会表现出特殊的分布,甚至由于注入时的温度波动造成低良率,因此对注入机把盘温度的精确监控十分必要。中国专利CN102943245A公开了离子注入方法及离子注入机,该方法由离子源产生无金属杂质的离子束,由引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室,离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子;该离子注入机由RF电源驱动,天线设置在放电室顶部外,放电室由石英制成,离子束经由引出缝引出,引出系统中离子束经过的通道,由硅材料制成或镶嵌硅材料制成的部件;靶片能在靶室内在垂直于所述的引出缝的长度方向上移动,天线沿着引出缝的长度方向设置。该专利无需对引出离子束进行分析和整形,使离子注入机的价格降低了50%以上,但并没有解决无法监测离子注入情况的问题。此外,现有注入机温度监控还通常采用的方式是观察温度贴片是否变色的方式:在硅基控片上安装已进行温度标定的贴片(图2),然后将控片传入靶盘上进行离子注入,完后 ...
【技术保护点】
一种监测注入硅片温度的方法,其特征在于,该方法通过在具有多晶硅层的硅片上测量电阻来实现。
【技术特征摘要】
1.一种监测注入硅片温度的方法,其特征在于,该方法通过在具有多晶硅层的硅片上测量电阻来实现。2.如权利要求1所述的监测注入硅片温度的方法,其特征在于,所述多晶硅层的厚度为3000埃。3.如权利要求1所述的监测注入硅片温度的方法,其特征在于,该方法具体包括如下步骤:步骤一,制作多晶硅监测片;步骤二,在多晶硅监测片上贴温度检知片;步骤三,多晶硅离子注入;步骤四,电阻测量及分析;步骤五,用药液刻蚀剥离注入后的多晶硅层并进行重新生长。4.如权利要求3所述的监测注入硅片温度的方法,其特征在于,所述步骤一中制作多晶硅监测片的具体方法为,在硅衬底上淀积一层氧化硅,再生长一层3000埃的多晶硅层。5.如权利要求4所述的监测注入硅片温度的方法,其特征在于,所述淀积多晶硅的方法为化学气相沉积法。6.如权利要求3所述的监测注入硅片温度的方法,其特征在于,所述步骤二中温度贴片的收集温度范围在注入工艺常规温度范围为:20℃~60℃。7.如权利要求3所述的监...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑刚,陈立鸣,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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