具有高热传导率的ＥＵＶ掩模版基底制造技术

反射型掩模版实质上减小或消除了吸收ＥＵＶ辐射导致的图案变形，同时保持掩模版厚度符合工业标准。反射型掩模版包括超低膨胀（ＵＬＥ）玻璃的层和热传导率实质上大于ＵＬＥ玻璃的堇青石基底。将铝层设置到ＵＬＥ玻璃的第一表面，并将ＵＬＥ玻璃的第二表面抛光成基本上平坦的且无缺陷的。采用阳极键合可以将堇青石基底直接结合至铝层以形成反射型掩模版。替代地，中间微晶玻璃层的第一表面可以结合至铝层，并且第二铝层可以用于将堇青石基底阳极键合至微晶玻璃层的第二表面，由此形成反射型掩模版。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用在光刻设备中的图案形成装置。
技术介绍
光刻技术被广泛认为是制造集成电路(ICs)以及其他器件和/或结构的关键工 艺。光刻设备是一种在光刻期间使用的、将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分 上的机器。在使用光刻设备制造集成电路期间，图案形成装置(被可选地称为掩模或掩模 版)生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶 片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是 通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。通常，单个衬底包含 连续形成图案的相邻目标部分的网络。制造IC的不同的层通常需要用不同的掩模版在不 同的层上成像不同的图案。因此，在光刻过程中掩模版必须更换。已有的极紫外(EUV)光刻设备包含反射型掩模版，掩模版具有由在整个宽的操作 温度范围上具有基本为零的热膨胀系数的超低膨胀(ULE)玻璃、玻璃-陶瓷材料形成的基 底。选择ULE玻璃作为基底基于ULE玻璃的热膨胀系数并基于能够将ULE玻璃的表面抛光 成对于EUV光刻应用必要的精细表面要求(即呈现出非常低的粗糙度、基本上没本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种掩模版，包括：光学层，具有第一表面和第二表面；基底，其中所述基底的热传导率实质上大于光学层的热传导率；和导电层，设置在光学层和基底之间，所述导电层结合至（ｉ）所述基底的表面和（ｉｉ）所述光学层的第一表面中的一个或更多个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·A·威克洛，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL