【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防止环烯烃衍生物降解的添加剂相关申请的交叉引用此申请要求于2008年7月8日所提交的美国临时申请第61/078，984号的优先权， 其内容在此并入本案以为参考。公开内容的背景公开内容的领域此公开内容通常涉及对空气和/或热展现出稳定性的环烯烃组合物。更具体地， 此公开内容涉及用一种或多种抗氧化剂化合物(如，取代的酚类)稳定化的环烯烃衍生物， 以降低或消除环烯烃组合物暴露于氧气、热或二者的组合时形成聚合物，以及涉及使用这 样的组合物来形成介电膜的方法。公开内容的背景半导体工业需要许多类型的薄膜以及厚膜来制造半导体组件，它们中的许多种是 以硅为基础的。这些膜的元素组成，典型地为硅和碳与氧、氢以及氟的各种组合的某一组 合。在美国专利案第6，914，335号中，Andideh等人教示层可如何不同以及可如何用于不 同的目的，而在美国专利案第6，846，515号中，Vrtis等人教示半导体工业较喜好的介电膜 的硅、氧、碳以及氢的范围。频繁使用的方法是化学气相沉积法，且此方法有许多的变化。在典型的化学气相沉积法中，将含硅化合物导入含有欲进行涂覆的基材的沉积室 中。之后利用化学或物理方式改变此含硅化合物(即，与另一组份反应，或施加诸如放射 线、热(热CVD)或等离子体(PECVD)等的能源)，以在述基材上沉积膜。仅含硅与氧(即， 氧化硅)的沉积薄层在无孔洞的情况下介电常数约4，而亦含有碳(即，掺杂碳的氧化硅) 和/或孔洞的膜通常具有低于4的介电常数。对较新的半导体组件而言，具有低于约2. 7 的介电常数的膜是较佳的。在美国专利案第6，583，048号中，Vincent等人提供...
【技术保护点】
一种组合物，其包含：（ａ）一种或多种取代的或未取代的环烯烃，以及（ｂ）抗氧化剂组合物，其包含至少一种式（Ⅰ）化合物，＊＊＊（Ⅰ），其中，Ｒ↑［１］至Ｒ↑［４］各自独立地为Ｈ、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］线性烷基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［８］不饱和烷基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［８］支化烷基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［８］环烷基、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］线性烷氧基、Ｃ↓［２］－Ｃ↓［８］不饱和烷氧基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［８］支化烷氧基、Ｃ↓［３］－Ｃ↓［８］环烷氧基或取代的或未取代的芳基，前提是，Ｒ↑［１］至Ｒ↑［４］中的至少一个不为Ｈ，且，如果Ｒ↑［１］至Ｒ↑［４］中的一个为叔丁基，则剩下的Ｒ↑［１］至Ｒ↑［４］中的至少一个不为Ｈ。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US61/078,9842008年7月8日1. 一种组合物，其包含(a)一种或多种取代的或未取代的环烯烃，以及(b)抗氧化剂组合物，其包含至少一种式(I)化合物，其中，R1至R4各自独立地为HX1-C8线性烷基、C2-C8不饱和烷基、C3-C8支化烷基、C3-C8 环烷基、C1-C8线性烷氧基、C2-C8不饱和烷氧基、C3-C8支化烷氧基、C3-C8环烷氧基或取代的 或未取代的芳基，前提是，R1至R4中的至少一个不为H，且，如果R1至R4中的一个为叔丁基， 则剩下的R1至R4中的至少一个不为H。2.权利要求1的组合物，其中R1至R4中的一个为甲基、乙基、甲氧基或乙氧基。3.权利要求2的组合物，其中所述剩下的R1至R4中的至少一个为H。4.权利要求2的组合物，其中所述剩下的R1至R4中全部为H。5.权利要求1的组合物，其中R1至R4中的一个为甲基或甲氧基。6.权利要求5的组合物，其中所述剩下的R1至R4中的至少一个为H。7.权利要求1的组合物，其中R2或R3是甲基或甲氧基。8.权利要求7的组合物，其中所述剩下的R1至R4中的至少一个为H。9.权利要求1的组合物，其中所述抗氧化剂组合物包含4-甲基-1，2-苯二酚。10.权利要求1的组合物，其中所述抗氧化剂组合物包含3-甲氧基-1，2-苯二酚。11.权利要求1的组合物，其中所述抗氧化剂组合物的存在浓度介于约Ippm和约 200ppm 之间。12.权利要求11的组合物，其中所述抗氧化剂组合物的存在浓度介于约50ppm和约 150ppm 之间。13.权利要求1的组合物，其中所述环烯烃具有通式CnH2n_2x_yRy，其中η是从4至18的 整数，χ为整数且1彡χ彡n/2，y为整数且0彡y彡2n~2x,以及各R独立地为C1-C18线性 烷基、C3-C18支化烷基、C2-C18不饱和烷基、C3-C18环烷基X1-C18线性烷氧基、C3-C18支化烷氧 基、C2-C18不饱和烷氧基、C3-C18环烷氧基、取代的或未取代的芳基或含取代硅的取代基。14.权利要求1的组合物，其中所述环烯烃具有通式CnH2n_(2x+2)_yRy，其中η是从5至18 的整数，χ为整数且χ彡n/2, y为整数且0彡y彡2n-(2x+2)，以及各R独立地为C1-C18线 性烷基、C3-C18支化烷基、C2-C18不饱和烷基、C3-C18环烷基X1-C18线性烷氧基、C3-C18支化烷 氧基、C2-C18不饱和烷氧基、C3-C18环烷氧基、取代的或未取代的芳基或含取代硅的取代基。15.权利要求1的组合物，其中所述环烯烃具有通式CnH2l^2MhRy，其中η是从7至18 的整数，χ为整数且χ彡n/2, y为整数且0彡y彡2n-(2x+4)，以及各R独立地为C1-C18线 性烷基、C3-C18支化烷基、C2-C18不饱和烷基、C3-C18环烷基X1-C18线性烷氧基、C3-C18支化烷氧基、C2-C18不饱和烷氧基、C3-C18环烷氧基、取代的或未取代的芳基或含取代硅的取代基。16.权利要求1的组合物，其中所述环烯烃是至少一种选自由下列所构成的群组的化 合物双戊烯、水芹烯、双环戊二烯、α-松油烯、Y-松油烯、柠檬烯、α-菔烯、3-蒈烯、异 松油烯、降冰片烯、降冰片二烯、5-乙烯基-2-降冰片烯以及5-亚乙基-2-降冰片烯。17.权利要求1的组合物，其中式(I)化合物沸点低于沈51。18.一种方法，其包括在膜沉积室中用至少一种环烯烃组合物以及至少一种含硅化合 物处理基材以在所述基材上形成掺杂碳的氧化硅膜，其中所述环烯烃组合物包含(a)一种或多种取代的或未取代的环烯烃，以及(b)抗氧化剂组合物，其包含至少一种式(I)化合物，19.权利要求18的方法，在所述处理步骤之前，进一步包括提供于第一容器中的所述 环烯烃组合物、于第二容器中的所述含硅化合物、含所述膜沉积室的膜沉积工具、装配成用 于连接所述第一与第二容器至所述膜沉积工具内的膜沉积室的连接器以及吹扫所述环烯 烃组合物与所述含硅化合物通过所述连接器进入所述膜沉积室的载气流。20.权利要求19的方法，在所述处理步骤之前，进一步包括将所述环烯烃组合物的蒸 气以及所述含硅化合物的蒸气导入所述载气流中。21.权利要求20的方法，在所述处理步骤之前，进一步包括借助所述载气流将所述环 烯烃组合物的蒸气以及所述含硅化合物的蒸气传输进入所述膜沉积室。22.权利要求18的方法，其中R1至R4中的一个为甲基、乙基、甲氧基或乙氧基。23.权利要求22的方法，其中所述剩下的R1至R4中的至少一个为H。24.权利要求23的方法，其中所述剩下的R1至R4中全部为H。25.权利要求18的方法，其中R1至R4中的一个为甲基或甲氧基。26.权利要求25的方法，其中所述剩下的R1至R4中的至少一个为H。27.权利要求18的方法，其中R2或R3是甲基或甲氧基。28.权利要求27的方法，其中所述剩下的R1至R4中的至少一个为H。29.权利要求18的方法，其中所述抗氧化剂组合物包含4-甲基-1，2-苯二酚。30.权利要求18的方法，其中所述抗氧化剂组合物包含3-甲氧基-1，2-苯二酚。31.权利要求18的方法，其中所述抗氧化剂组合物的存在浓度介于约Ippm和约 200ppm 之间。32.权利要求31的方法，其中所述抗氧化剂组合物的存在浓度介于约50ppm和约 150ppm 之间。33.权利要求18的方法，其中所述环烯烃具有通式CnH2n_2x_yRy，其中η是从4至18的整 数，χ为整数且1彡χ彡n/2，y为整数且0彡y彡2n~2x,以及各R独立地为C1-C18线性烷 基、C3-C18支化烷基、C2-C18不饱和烷基、C3-C18环烷基、C1-C18线性烷氧基、C3-C18支化烷氧 基、C3-C18不饱和烷氧基、C3-C18环烷氧基、取代的或未取代的芳基或含取代硅的取代基。34.权利要求18的方法，其中所述环烯烃具有通式CnH2n_(2x+2)_yRy，其中η是从5至18的 整数，χ为整数且χ彡n/2, y为整数且0彡y彡2n-(2x+2)，以及各R独立地为C1-C18线性 烷基、C3-C18支化烷基、C2-C18不饱和烷基、C3-C18环烷基X1-C18线性烷氧基、C3-C18支化烷氧 基、C2-C18不饱和烷氧基、C3-C18环烷氧基、取代的或未取代的...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·J·泰弗，
申请(专利权)人：富士胶片电子材料美国有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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