柱的三角形二维互补图案形成制造技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，其包括在基底上形成至少一个器件层，在器件层之上形成多个间隔开的第一部件，其中每三个相邻的第一部件形成等边三角形，在第一部件上形成侧壁间隔件，使用多个填充部件填充侧壁间隔件之间的间隔，选择性地去除侧壁间隔件，以及使用至少多个填充部件作为掩模蚀刻至少一个器件层。一种器件包含位于基底之上的多个底电极，位于多个底电极之上的多个被间隔开的柱，以及与多个柱接触的多个上部电极。每三个相邻柱形成等边三角形，且每个柱包含半导体器件。多个柱包含具有第一形状的多个第一柱和具有不同于第一形状的第二形状的多个第二柱。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】柱的三角形二维互补图案形成相关专利申请的交叉引用本申请要求于2008年6月30日提交的美国专利申请12/216，109的权益，其全文 通过引用合并与此。
技术介绍
本申请一般地涉及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及制造半导体柱状结构 的方法。由半导体材料制成的器件用于产生电组件和系统的存储电路。存储电路是这类器 件的中枢，因为数据和指令组被储存在其中。最大化此类电路上的每单位面积的存储元件 数量可最小化其成本并因此是此类电路的设计的首要动机。由于在半导体晶片上形成的结构的尺寸减小了，所以目前能制造这些器件的工具 已达到其极限。例如，目前可用的193nm(纳米)侵入工具(nanometer immersion tool) 将不能制造间距(Pitch)小于大约80nm的结构。为了使用目前可用的工具制造比这小的 部件(feature)，人们必须使用更复杂的程序。一种此类程序是双暴露(exposure) /双图案 形成(patterning)。另一种是使用在随后被去除的模型上形成的侧壁间隔件。然后侧壁间 隔件在蚀刻下面的膜或多个膜的过程中被用作掩模(mask)。对于简单的单向常规线和间隔样式，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造器件的方法，其包含：　　在基底上形成至少一个器件层；　　在所述器件层之上形成多个间隔开的第一部件，其中每三个相邻的第一部件形成等边三角形；　　在所述第一部件上形成侧壁间隔件；　　使用多个填充部件填充所述侧壁间隔件之间的间隔；　　选择性地去除所述侧壁间隔件；以及　　至少使用所述多个填充部件作为掩模蚀刻所述至少一个器件层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US12/216,1092008年6月30日1.一种制造器件的方法，其包含 在基底上形成至少一个器件层；在所述器件层之上形成多个间隔开的第一部件，其中每三个相邻的第一部件形成等边 三角形；在所述第一部件上形成侧壁间隔件；使用多个填充部件填充所述侧壁间隔件之间的间隔；选择性地去除所述侧壁间隔件；以及至少使用所述多个填充部件作为掩模蚀刻所述至少一个器件层。2.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地去除所述侧壁间隔件的步骤留下被彼此间隔开的所述第一部件和所述填充 部件；以及蚀刻所述至少一个器件层的步骤包含使用所述第一部件和所述填充部件作为掩模蚀 刻所述至少一个器件层。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在形成侧壁间隔件的步骤之后且在使用 多个填充部件填充所述侧壁间隔件之间的间隔的步骤之前选择性地去除所述第一部件。4.根据权利要求3所述的方法，其中选择性地去除所述侧壁间隔件的步骤留下被彼此间隔开的所述多个填充部件；以及 蚀刻所述至少一个器件层的步骤包含使用所述多个填充部件作为掩模蚀刻所述至少 一个器件层。5.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述至少一个器件层的步骤形成具有第一 形状的多个第一柱和具有第二形状的多个第二柱，所述第二形状与所述第一形状相同或不 同。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含 在所述器件层下方形成多个栅栏状底电极。7.根据权利要求6所述的方法，其中每三个相邻第一部件形成在三个相邻底电极之上；以及 所述三个相邻第一部件的每个第一部件位于不同的底电极之上。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包含在蚀刻的所述器件层之上形成多个栅栏 状上部电极，其中所述上部电极和所述底电极在彼此相差大约60度的方向上延伸。9.根据权利要求7所述的方法，其中蚀刻所述至少一个器件层的步骤形成包含第一柱和第二柱的图案，其中所述第一柱具 有圆形横截面并且所述第二柱具有带圆角的三角形横截面；包含一个第一柱和两个第二柱的三个柱的单元沿着相同底电极重复；三个相邻第一柱形成等边三角形；六个第二柱以六边形结构围绕每个第一柱；以及三个第一柱以等边三角形结构围绕每个第二柱。10.根据权利要求6所述的方法，其中每三个相邻第一部件中的两个被形成在一个第一底电极之上； 所述三个相邻第一部件中的第三部件被形成在第三底电极之上，以使得第二底电极邻近所述第一底电极和所述第三底电极且位于所述第一底电极和所述第三底电极之间。11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含在所述器件层之上形成多个栅栏状上 部电极，其中所述上部电极垂直于所述底电极延伸。12.根据权利要求10所述的方法，其中蚀刻所述至少一个器件层的步骤形成包含第一柱和第二柱的图案，其中所述第一柱具 有圆形横截面并且所述第二柱具有带圆角的三角形横截面；所述第一柱位于第一底电极之上，且每两个相邻第一柱之间具有第一距离； 所述第二柱位于第二底电极之上，且每两个相邻第二柱之间具有第二距离，所述第二 距离小于所述第一距离；所述三个相邻第一柱形成等边三角形；六个所述第二柱以六边形结构围绕每个第一柱；以及三个所述第一柱以等边三角形结构围绕每个第二柱。13.根据权利要求1所述的方法，其中在相邻第一部件上的所述侧壁间隔件沿至少两 个预定方向彼此接触以形成位于所述侧壁间隔件之间的完全被包围的间隙间隔，且所述填 充部件填充所述间隙间隔。14.根据权利要求1所述的方法，其中 所述器件包含多个非易失性存储器单元；以及每个所述非易失性存储器单元包含作为操控元件和储存元件的柱状二极管。15.根据权利要求14所述的方法，所述非易失性存储器单元的类型选自以下至少一 种反熔丝、熔丝、串联布置的二极管和反熔丝、多晶硅存储效应单元、金属氧化物存储器、 可...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊明，
申请(专利权)人：桑迪士克三D公司，
类型：发明
国别省市：US