温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，其包括在基底上形成至少一个器件层，在器件层之上形成多个间隔开的第一部件，其中每三个相邻的第一部件形成等边三角形，在第一部件上形成侧壁间隔件，使用多个填充部件填充侧壁间隔件之间的间隔，选择性地去除侧壁间隔件...
该专利属于桑迪士克３Ｄ公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克３Ｄ公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。