与原子层沉积反应器相连接的装置制造方法及图纸

技术编号:7134040 阅读:233 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种与包括反应腔室的原子层沉积反应器相连接的装置,该装置包括用来向反应腔室(2)供给反应气体并且用来回吸反应气体的部件,以及用来供给阻隔气体的部件。用来供给与回吸反应气体和用来供给阻隔气体的部件包括具有延伸通过其中的多个相平行的通道(4至7)的中间元件(3),以及被布置在通道(4至7)开口于其中的中间元件(3)的两端的第一回流元件和第二回流元件(8,9),回流元件(8,9)被布置成结合中间元件(3)中的通道以便于提供通道间的流动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种与包括反应腔室的原子层沉积反应器相连接的装置,该装置包 括用来向反应腔室供给反应气体并且用来回吸反应气体的部件,以及用来供给阻隔气体 (barrier gas)白勺胃^牛。
技术介绍
反应腔室是ALD (Atomic Layer Deposition,原子层沉积)反应器的主要部件,待 处理的基片被设置所述反应腔室中。原子层沉积工艺是基于间歇的、饱和的表面反应,其中 所述表面控制膜的生长。每个反应成分在那里分别与表面进行接触。这样,在反应腔室里, 各反应气体和其间的冲洗(flushing)气体脉冲被顺序地引到基片上。在原子层沉积反应器的设计中,实现良好的流动动力和尖锐脉冲是重要的。为了 锐化脉冲并且有时也作为仅有的阻隔,其中使用被称为惰性气体的阀式调节(inert gas valving)的原理,通过惰性气体适当的供给和流动,来阻止反应腔室中反应气体向基片的 流动。上述功能将被实现成尽可能地靠近反应腔室以避免供给管道或者供给通道的后 置阻隔段(post-barrier length)导致反应成分脉冲的拖尾(tail),S卩,从表面释放的分 子,这些分子在与下一个脉冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种与原子层沉积反应器相连接的装置,所述原子层沉积反应器包括反应腔室,所述装置包括用来将反应气体供给到所述反应腔室(2)并且用来回吸所述反应气体的部件,以及用来供给阻隔气体的部件,其特征在于,  用来供给与回吸所述反应气体和用来供给所述阻隔气体的部件包括:中间元件(3),该中间元件具有延伸通过该中间元件的多个相平行的通道(4至7);以及第一回流元件和第二回流元件(8,9),所述第一回流元件和第二回流元件被布置在所述中间元件(3)的两端,所述通道(4至7)通到所述第一回流元件和第二回流元件中,所述第一回流元件和第二回流元件(8,9)被布置成将所述中间元件(3)中的各通道加以组合从而提供通道间的流...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:M·亚乌希艾宁
申请(专利权)人:BENEQ有限公司
类型:发明
国别省市:FI

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