【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及原子层沉积设备
，具体涉及。
技术介绍
原子层沉积(ALD)技术从化学气相沉积(CVD)沉积方法演变而来。而由于其独特的沉积方式(单原子逐层沉积)使得制备的薄膜在均一性、粗糙度等性能方面有了很大的改进，除生长速率低于CVD和物理气相沉积(PVD)方法外，其它性能都远远优于它们。ALD 取代CVD和PVD是一种发展趋势。低温生长是ALD的一个显著特点，这一特点能大大减少能量和前躯体的消耗。到目前为止，ALD生长技术仍有很大的可改进性，因为并不是所有的CVD/PVD前躯体都能在ALD技术上适用，比如甲烷、二氧化碳等稳定性物质需要高温分解，另一些物质如重氮甲烷等危险性较大，则需要两种物质现场制备获得，这些都限制了 ALD的运用。因此， 为了使ALD最大限度的发挥其生长特性，需要对现有设备做一些改进来适合常用前躯体的活化分解要求(除高温外)，比如通过增加光照来提供能量使前躯体活化以利于分解或增加催化剂来活化前躯体。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，使用该方法可以实现较多种前躯体源的活化并达到在衬底上进行吸附的目的。为了达到上述目的，本专利技术采用...
【技术保护点】
１．一种用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述进气方法为：装有不同前驱体的各个源瓶之间的气路为并行的。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：饶志鹏，夏洋，陈波，李超波，万军，赵珂杰，黄成强，陶晓俊，李勇滔，刘键，石莎莉，江莹冰，
申请(专利权)人：嘉兴科民电子设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：33
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