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本发明涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种用于原子层沉积设备的进气方法。所述进气方法为：装有不同前驱体的各个源瓶之间的气路为并行的。本发明在满足ALD沉积方式的同时，增加适合用ALD设备沉积薄膜的前躯体的数量，能够实现较多种前躯体源的活...
该专利属于嘉兴科民电子设备技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴科民电子设备技术有限公司授权不得商用。

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