超低曝光后烘烤光致抗蚀剂材料制造技术

本发明专利技术涉及包含在聚合物骨架与酸不稳定的缩醛基之间具有侧链间隔基的第一甲基丙烯酸酯单体、具有包括氟代烷基的侧基的第二甲基丙烯酸酯单体及具有侧链烃基的第三甲基丙烯酸酯单体的聚合物。本发明专利技术还涉及包含该聚合物、光酸产生剂及浇铸溶剂的光致抗蚀剂制剂。本发明专利技术还涉及将由该光致抗蚀剂制剂形成的光致抗蚀剂薄膜图案化的方法，其特征为在约６０℃或以下的温度下进行曝光后烘烤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光刻领域。更具体地说，本专利技术涉及含有缩醛键的光致抗蚀剂聚合物以及其在光刻(lithographic)光致抗蚀剂组合物中的用途，尤其是在化学增幅光致抗蚀剂中的用途。
技术介绍
化学增幅光致抗蚀剂由于在MSnm和更短的波长下具有更好的曝光速度 (photo-speed)，同时在亚0. 25微米的范围中提供可接受的图像空间分辨率，所以已取代断链光致抗蚀剂(chain-scission photoresists)。但是，对于高级图案化节点(advanced patterning nodes)在亚IOOnm尺度上的可接受空间分辨需要改良的化学增幅光致抗蚀剂材料和组合物。差的光刻图像分辨率限制了集成电路装置的缩放(scaling)。
技术实现思路
本专利技术的第一方面为一种聚合物，其包含具有下列结构的第一单体权利要求1. 一种聚合物，包含 下列结构的第一单体2.如权利要求1所述的聚合物，其中XpR1及R3不含氟原子。3.如权利要求1所述的聚合物，其中&选自-ch2ch2co-、-ch2ch2cooch2ch2co-和4.如权利要求1所述的聚合物，其中R1选自5.如权利要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种聚合物，包含：下列结构的第一单体下列结构的第二单体下列结构的第三单体且其中，Ｘ１为酯基、酯链或萘基，Ｒ１为缩醛基，Ｒ２包括氟代烷基，Ｒ３为烷基、环基、杂环基、双环基或杂双环基；且其中，ｘ＋ｙ＋ｚ等于约１００摩尔％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·克霍雅斯特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US