【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种大面积超薄单晶硅太阳能电池。
技术介绍
现有的太阳能电池，在世界太阳能光伏发电产业和市场的严峻的能源替代形式和人类生态环境压力下，在持续进步和逐步完善的法规政策的强力推动下快速发展。太阳能电池的年产量最近10年得平均增长速度为37%，最近5年得平均增长速度为45%，成为世界上发展最快的行业之一。据欧洲联合中心预测，到2030年，太阳能光伏发电在世界总电力的供应达到10% 以上；2040年太阳能光伏发电将占总电力的20%以上；到本世纪末太阳能光伏发电将占电力的60%以上。在我国，随着《可再生能源法》的颁布实施，利用法律和市场机制来推动新能源的利用，必将大大加快我国太阳能产业的发展。目前，硅太阳电池是产量最为成熟的太阳能电池，占世界太阳能电池产量的90%，因此硅太阳能电池降低生产成本，提高转化效率的意义十分重大，大面积化以及薄片化生产将成为电池片生产的主要发展趋势。
技术实现思路
专利技术目的为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种结构合理，转化效率高的大面积超薄型高效率单晶硅太阳能电池。技术方案为解决上述技术问题，本技术采样的技术方案为一种大面积超薄单晶硅太阳能电池，其上、下表面积为125mmX125mm;该太阳能电池包括P型硅片，在P型硅片正面制成作为负极面的N+P结层；在P型硅片背面制成作为正极面的P+P结层；所述负极面通过负极金属电极引出，所述正极面通过正极金属电极引出，所述负极金属电极和正极金属电极相串联；在N+P结层和P+P结层喷涂有氮化硅层。有益效果本技术提供的大面积超薄单晶硅太阳能电池，在硅片的两面都形...
【技术保护点】
１．一种大面积超薄单晶硅太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池的上、下表面积为１２５ｍｍ×１２５ｍｍ；该太阳能电池包括Ｐ型硅片（１），在Ｐ型硅片（１）正面制成作为负极面的Ｎ＋Ｐ结层（２）；在Ｐ型硅片（１）背面制成作为正极面的Ｐ＋Ｐ结层（３）；所述负极面通过负极金属电极（４）引出，所述正极面通过正极金属电极（５）引出，所述负极金属电极（４）和正极金属电极（５）相串联；在Ｎ＋Ｐ结层（２）和Ｐ＋Ｐ结层（３）喷涂有氮化硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：倪云达，葛正芳，胡宏珊，
申请(专利权)人：江苏顺大半导体发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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