【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备LED芯片的ρ电极的方法，尤其涉及一种利用化学镀制备LED 芯片的P电极的方法。
技术介绍
LED具有发光效率高，耗电量小、寿命长、发热量低、体积小以及环保节能等优点， 因而具有广泛的应用市场，如室内外照明、汽车、背光源、大屏幕显示等方面。普通结构的LED，其结构自上而下依次包括电极、欧姆接触层、电流扩展层、上限制层、有源层、下限制层、缓冲层和衬底。传统的电极制作是是在欧姆接触层上蒸镀金属电极层，后光刻电极图形刻蚀形成电极，最后通过合金形成欧姆接触。LED电极的制备需要用到贵重金属Au，使用蒸镀设备制备电极时，由于蒸镀制程没有选择性，从而导致整个真空腔体都被镀满黄金，真正镀在样品上的极少，而且样品通常也只有小于30%的面积需要镀金， 高功率的样品只需要5%左右的面积需要镀金，因此使用蒸镀进行电极制备，浪费了大量的贵重金属，增加了成本。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种利用化学镀制备LED芯片的ρ电极的方法，采用化学镀制备LED芯片的ρ电极，减少了贵重金属的应用，同时减少了工艺步骤。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种利用化学镀制...
【技术保护点】
１．一种利用化学镀制备ＬＥＤ芯片的ｐ电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤１：在ＬＥＤ外延片的ｐ－ＧａＮ层上制备相互间隔的纳米金属颗粒，并刻蚀该ｐ－ＧａＮ层，使得该ｐ－ＧａＮ层表面为纳米结构；步骤２：利用掩膜将所述ＬＥＤ外延片的激活区域镀上激活液，以对该ＬＥＤ外延片的激活区域进行激活，然后移去掩膜；步骤３：将所述ＬＥＤ外延片放入化学镀液中，在将所述激活区域外的纳米金属颗粒溶解的同时，在所述ＬＥＤ外延片的激活区域化学镀金属，以形成金属基板；步骤４：将所述ＬＥＤ外延片放入化学镀金液中，在所述金属基板上自动沉积金，以得到ｐ电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高成，
申请(专利权)人：协鑫光电科技张家港有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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