一种去光阻的方法和设备技术

本发明专利技术提供一种去光阻的方法和设备，用以解决现有去光阻过程浸泡步骤较多、所需原料较多，使得去光阻速度较慢、成本较高的问题。该方法包括：将带有光阻的基底置入去光阻液中浸泡；从所述去光阻液中取出所述基底；将所述基底的温度冷却至预设温度，其中，所述预设温度低于所述去光阻液遇水后与所述基底发生反应的最低温度；用水清洗所述基底。上述技术方案减少了浸泡步骤，减少了使用的原料，从而加快了去光阻的速度，缩短了制程时间，降低了去光阻成本和基底处理成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及领域去光阻
，特别涉及一种去光阻的方法和设备。
技术介绍
现有有关基底的制程中，经常会涉及到去光阻制程，以去除基底上的光阻、金属杂质、有机污染物和人为污染物等，比如在制作阵列基板时，就会重复进行清洗、镀膜、上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等过程。现有去光阻制程常采用湿式制程，该湿式制程包括以下步骤步骤Al、将带有光阻的基底置入去光阻液中进行浸泡，浸泡完成后从去光阻液中取出基底；步骤A2、将基底置入NMP(N-Methyl-2-Pyrrolidone，N-甲基吡咯烷酮)中浸泡， 浸泡完成后从NMP中取出基底；其中，NMP的粘度低，化学稳定性和热稳定性好，极性高，挥发性低，能与水及许多有机溶剂无限混溶；步骤A3、用水清洗基底；步骤A4、清洗基底以除去基底上的异丙醇；步骤A5、再次用水清洗基底。可见，现有的去光阻过程中，需要依序将基底在去光阻液和NMP中浸泡，然后再对基底进行清洗，不仅浸泡步骤较多(包括两个浸泡步骤)，而且所需原料也较多(原料包括去光阻液和NMP)，使得去光阻整体制程较慢、成本较高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种去光阻的方法和设备，用以解决现有去光阻过程浸泡步骤较多、所需原料较多，使得去光阻整体制程较慢、成本较高的问题。本专利技术实施例提供一种去光阻的方法，包括将带有光阻的基底置入去光阻液中浸泡；从所述去光阻液中取出所述基底；将所述基底的温度冷却至预设温度，其中，所述预设温度低于所述去光阻液遇水后与所述基底发生反应的最低温度；用水清洗所述基底。其中，优选地，所述将所述基底的温度冷却至预设温度，具体为向所述基底吹风，使所述基底的温度冷却至预设温度。其中，优选地，所述将所述基底的温度冷却至预设温度，具体为将所述基底自然冷却至预设温度。其中，优选地，当所述去光阻液为PMR400时，所述预设温度的最大值为95摄氏度、 最小值为70摄氏度。 其中，优选地，所述基底为晶片或基板。本专利技术实施例还提供了一种去光阻的设备，包括去光阻槽，用于容纳浸泡有基底的去光阻液，其中，所述基底带有光阻；水清洗装置，用于用水对从所述去光阻液中取出后温度被冷 却至预设温度的所述基底进行清洗，其中，所述预设温度低于所述去光阻液遇水后与所述基底发生反应的最低温度。其中，优选地，所述设备还可包括置入装置，用于将所述基底置入所述去光阻槽内的去光阻液中浸泡；抓取装置，用于从所述去光阻槽中取出所述基底。其中，优选地，所述设备还可包括冷却槽，用于放置从所述去光阻液中取出的所述基底，使所述基底的温度冷却至所述预设温度。本专利技术实施例提供的技术方案是将基底在去光阻液中浸泡(包括一个浸泡步骤)，浸泡完成后从去光阻液中取出基底，将基底的温度冷却至能保证基底上残留的去光阻液遇水后与基底不发生反应的预设温度之后，用水对基底进行清洗。与现有去光阻制程需要先依序将基底在去光阻液和NMP中浸泡(包括两个浸泡步骤)、再对基底进行清洗的流程相比，本专利技术实施例提供的去光阻的方法免除了在将基底在NMP中浸泡的步骤，减少了浸泡步骤，从而缩短了去光阻整体制程时间，并且减少了使用的原料，从而降低了去光阻成本和基底处理成本。附图说明图1为本专利技术实施例中去光阻的方法流程图；图2为本专利技术实施例中一种去光阻的设备的结构示意图；图3为本专利技术实施例中另一种去光阻的设备的结构示意图。具体实施例方式为使本专利技术实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种去光阻的方法，包括以下步骤S11、将带有光阻的基底置入去光阻液中浸泡。其中，基底可具体实施为基板或者晶片等。基底在去光阻液中的浸泡时间可以根据基底上光阻的厚度来设定，比如，当基底上的光阻较厚时，可使基底在去光阻液中浸泡时间长些，以使基底上的光阻和其它不溶于水的污染物得到完全去除；当基底上的光阻较薄时，可使基底在去光阻液中浸泡时间短些， 但浸泡时间应能保证光阻和其它不溶于水的污染物得到完全去除。S12、从去光阻液中取出基底。S13、将基底的温度冷却至预设温度，其中，预设温度低于去光阻液遇水后与基底发生反应的最低温度。具体地，可将基底自然冷却至预设温度，也可以向基底吹风(如用N2枪向基底吹冷风，该冷风的温度低于预设温度)以使基底的温度冷却至预设温度。预设温度设置为低于去光阻液遇水后与基底发生反应的最低温度的任一个值，比如去光阻液遇水后与基底发生反应的温度范围为，则预设温度应是低于Tl的任一个值。预设温度依去光阻液的成分而定，不同的去光阻液对应的预设温度也不一样。比如去光阻液为PMR400时，其对应的预设温度在范 围内时去光阻效果最佳。之所以要将基底的温度冷却至预设温度，是为了避免在执行后续步骤S14(用水清洗基底)时使基底上残留的去光阻液与基底发生反应，损坏基底。因为基底在去光阻液中浸泡时，去光阻液的温度会变得比较高，如果将基底从去光阻液中取出后就直接用水清洗基底，则基底上残留的去光阻液将会与基底发生反应，从而可能损坏基底表面；而如果将基底从去光阻液中取出后，先将基底的温度冷却至预设温度，则基底上残留的去光阻液的温度也被降至了预设温度，此时再用水清洗基底，由于此时基底上残留的去光阻液的温度已经低于了去光阻液遇水后与基底发生反应的最低温度，因此，基底上残留的去光阻液不会与基底发生反应，不会损坏基底表面。S14、用水清洗基底。将基底的温度冷却至预设温度之后，保证了基底上残留的去光阻液遇水后与基底不会发生反应，考虑到去光阻液可以溶于水，此时，用水清洗基底，便可以去除基底上残留的去光阻液。本专利技术实施例提供的去光阻的方法是将基底在去光阻液中浸泡(包括一个浸泡步骤)，浸泡完成后从去光阻液中取出基底，将基底的温度冷却至能保证基底上残留的去光阻液遇水后与基底不发生反应的预设温度之后，用水对基底进行清洗。与现有去光阻制程需要先依序将基底在去光阻液和NMP中浸泡(包括两个浸泡步骤)、再对基底进行清洗的流程相比，本专利技术实施例提供的去光阻的方法免除了在将基底在NMP中浸泡的步骤，减少了浸泡步骤，从而缩短了去光阻整体制程时间，并且减少了使用的原料，从而降低了去光阻成本和基底处理成本。对应于本专利技术实施例提供的去光阻的方法，本专利技术实施例还提供了一种去光阻的设备，如图2所示，包括去光阻槽，用于容纳浸泡有基底的去光阻液，其中，基底带有光阻；水清洗装置，用于用水对从去光阻液中取出后温度被冷却至预设温度的基底进行清洗，其中，预设温度低于去光阻液遇水后与基底发生反应的最低温度。具体实施过程中，本专利技术实施例提供的去光阻的设备可通过对现有去光阻的设备进行改造而形成。由于现有去光阻的设备除了有去光阻槽和水清洗装置外，还比本专利技术实施例提供的去光阻的设备多出了 NMP槽(这是因为现有去光阻的制程比本专利技术实施例提供的去光阻的方法多出了在NMP中浸泡的步骤)，因此，具体实施时，可改变NMP槽的作用，将 NMP槽作为去光阻槽来使用，这样不仅不浪费已有设备，还能增加去光阻槽的数量。如果是制作本专利技术实施例提供的去光阻的设备，与现有去光阻的设备相比，本专利技术实施例提供的去光阻的设备免除了制作NMP槽，设备的制作成本较低。本专利技术实施例提供的去光阻的设备，将基底在去光阻液中浸泡(包括一个浸泡步骤)，浸泡本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种去光阻的方法，其特征在于，包括：将带有光阻的基底置入去光阻液中浸泡；从所述去光阻液中取出所述基底；将所述基底的温度冷却至预设温度，其中，所述预设温度低于所述去光阻液遇水后与所述基底发生反应的最低温度；用水清洗所述基底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡郢倢，马擎天，刘秉承，
申请(专利权)人：协鑫光电科技张家港有限公司，
类型：发明
国别省市：32