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本发明提供了一种利用化学镀制备LED芯片的p电极的方法，包括以下步骤：在LED外延片的p-GaN层上制备相互间隔的纳米金属颗粒，并刻蚀该p-GaN层，使得该p-GaN层表面为纳米结构；利用掩膜将所述LED外延片的激活区域镀上激活液，以对该L...
该专利属于协鑫光电科技（张家港）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过协鑫光电科技（张家港）有限公司授权不得商用。

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