柔性透明导电膜用金属氧化物半导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性透明导电膜用金属氧化物材料及其制备方法，制备所述金属氧化物半导体材料的原料为纯度大于99.99％、平均粒径为0.01-100微米的ZnO、In2O3和Ga2O3的高纯粉体粉，其重量份配比为ZnO?0.5-15份；In2O3?1-10份；Ga2O3?0.5-9份。本发明专利技术是以氧化锌和三氧化二铟及三氧化二镓为主体成份生产的柔性透明导电膜用IGZO材料，用于磁控溅射生产透明导电膜的生产过程更易控制，溅射过程不需要加热就能制造出透明非结晶导电薄膜，可以方便的制造在聚氨酯等柔性基材上，而且制造的导电膜具有优良的可卷绕性能，在柔性显示器的生产中将更具有优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
透明导电薄膜是液晶显示、平板显示、静电屏蔽、太阳能电池必需的功能材料。直流磁控溅射法是当前国际高档显示器件用透明导电膜的主导制备工艺。现有的制备工艺以ITO半导体陶瓷(90% In2O3-IO% SnO2)作为溅射源，普遍在氩气或氩氧混合气氛中、基板100-550°C下用直流磁控溅射法制备ITO透明导电薄膜，所制备的透明导电薄膜品质优良，可见光透过率> 83%，且电阻率小于10Χ10_4Ω · cm。但由于ITO材料镀膜时膜层的结晶显微结构为柱状结构，溅射室经常需要加温等等，用于柔性基底低温或常温镀膜就受到很大限制，极大的限制了柔性显示技术的发展。最近几年，金属氧化物半导体材料(简称IGZ0)薄膜晶体管成为研究热点，IGZO薄膜具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点，备受人们关注。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题就在于提供一种柔性透明导电膜用金属氧化物材料及其制备方法，它是以氧化锌和三氧化二铟及三氧化二镓为主体成份生产的柔性透明导电膜用IGZO材料，用于磁控溅射生产透明导电膜的生产过程更易控制，溅射过程不需要加热就能制造出透明非结本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种柔性透明导电膜用金属氧化物半导体材料，其特征在于：制备所述金属氧化物半导体材料的原料为纯度大于９９．９９％、平均粒径为０．０１－１００微米的ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３和Ｇａ２Ｏ３的高纯粉体粉，其重量份配比为ＺｎＯ　０．５－１５份；Ｉｎ２Ｏ３１－１０份；Ｇａ２Ｏ３０．５－９份。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔伟华，
申请(专利权)人：孔伟华，
类型：发明
国别省市：32