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本发明公开了一种柔性透明导电膜用金属氧化物材料及其制备方法，制备所述金属氧化物半导体材料的原料为纯度大于99.99％、平均粒径为0.01-100微米的ZnO、In2O3和Ga2O3的高纯粉体粉，其重量份配比为ZnO?0.5-15份；In2O...
该专利属于孔伟华所有，仅供学习研究参考，未经过孔伟华授权不得商用。

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