一种多晶硅破碎装置，涉及一种多晶硅破碎器具，在物料箱(12)的任意一侧中部设有立柱(13)，旋转轴(14)活动插接在立柱上部，导轨(3)的一端与旋转轴(14)的上端固定连接或所述导轨的一端与立柱的上端活动连接形成导轨的水平旋转结构，滑动机构与导轨滑动配合，在滑动机构的下部设有连接冲击气缸(17)的弹性体，在冲击气缸的下端设有冲击头(18)，形成冲击头与物料箱(12)内的多晶硅(6)多工位对应结构；本发明专利技术利用设置在导轨上的拉伸弹簧灵活控制冲击气缸冲击头构成的硅棒击打结构设置，有效克服了手工破碎成本高、效率底、不安全等缺陷，有效地提高了生产效率，实现了机械化破碎的目的。
【技术实现步骤摘要】
多晶硅破碎装置
本专利技术涉及一种多晶硅破碎器具，具体地说本专利技术涉及一种多晶硅破碎装置。
技术介绍
公知的，多晶硅是硅产业链中极为重要的一环，在人工智能、自动控制、信息处理、 光电转换以及半导体行业中属于基础材料之一，尤其是目前随着人们对于绿色能源的追求，多晶硅作为硅基太阳能电池的最主要的基础材料，使用量极大；在多晶硅的制备方法中，尤其是改良后的西门子法中，冶金硅粉与氯化氢在一定的温度、压力条件下生成三氯氢硅与氢气混合体供还原炉还原，其中在还原炉还原前首先将多晶硅粉碎成一定尺寸碎块， 然后放入坩埚中，以定向的籽晶成为生长核，生长出一顶晶向的单晶。目前国内的所有多晶硅生产企业，对多晶硅的破碎大多采用人工破碎的方法，也就是使用人工由锤子、重物对多晶硅棒进行敲击破碎。以年产5000吨多晶硅棒的企业为例，每天要用要用100多工人不间断地敲打使多晶硅破碎。工人的劳动强度极大，而且工作效率低，且存在安全隐患。这种原始的操作方法限制了多晶硅深加工的效率和发展。已经成为限制了企业发展的主要瓶颈，如想提高生产率就必须加大对人力、财力、物力的投入。
技术实现思路
本专利技术公开了一种多晶硅破碎装置，所述的多晶硅破碎装置利用设置在导轨上的拉伸弹簧灵活控制冲击气缸冲击头构成的硅棒击打结构设置，有效克服了手工破碎成本高、效率底、不安全等缺陷，有效地提高了生产效率，实现了机械化破碎的目的。实现本专利技术的技术方案如下一种多晶硅破碎装置，包括物料箱、立柱、旋转轴、导轨、滑动机构、弹性体、冲击气缸和冲击头，在物料箱的任意一侧中部设有立柱，旋转轴活插接在立柱上部，导轨的一端与旋转轴的上端固定连接或所述导轨的一端与立柱的上端活动连接形成导轨的水平旋转结构，滑动机构与导轨滑动配合，在滑动机构的下部设有连接冲击气缸的弹性体，在冲击气缸的下端设有冲击头，形成冲击头与物料箱内的多晶硅多工位对应结构。所述的多晶硅破碎装置，在所述导轨上设置的滑动机构为“U”行片，“U”行片的上部设有滑轮，所述滑轮与导轨滑动配合。所述的多晶硅破碎装置，设置在导轨上的“U”行片为至少一个。所述的多晶硅破碎装置，在滑动机构下部设置连接冲击气缸的弹性体为拉伸弹簧，冲击气缸的下部与冲击头的上部卡接在操作手柄的中部，所述操作手柄的一端与拉伸弹簧的下端连接。所述的多晶硅破碎装置，所述冲击气缸为Columbia model 98。所述的多晶硅破碎装置，所述冲击头为钨钛合金HRC70-80。所述的多晶硅破碎装置，在物料箱的外部和下部设有机架，所述立柱的下端固定在机架的任意一侧。所述的多晶硅破碎装置，物料箱的下部一侧通过设置在机架横支撑上的铰接座A 铰接机架，在物料箱的铰接座A —侧壁上设有卸料门，物料箱的另一边下部由铰接座B与气缸的活塞杆上端铰接连接，气缸的下部铰接固定在机架上。通过上述公开内容，本专利技术的有益效果是本专利技术所述的多晶硅破碎装置，冲击气缸采用17c0lumbia model98，将其固定在操作手柄上，方便操控，切工作区域较大，本专利技术冲击气杠在0. 6Mpa的气压下瞬间产生8吨 (最大)的冲击力，本专利技术整个破碎过程只需一人操作即可完成；本专利技术有效克服了手工破碎成本高、效率底、不安全等缺陷，有效地提高了生产效率，实现了机械化破碎的目的。附图说明图1是本专利技术的结构示意图；图2是本专利技术的物料箱、机架和旋转轴结构设置示意图；图3是本专利技术的气缸连接结构设置示意图；图4是本专利技术的冲击气缸、冲击头连接结构设置示意图；在图中1、滑轮；2、“U”行片；3、导轨；4、拉伸弹簧；5、操作手柄；6、多晶硅；7、机架；8、气缸；9、横支撑；10、铰接座A ;11、卸料门；12、物料箱；13、立柱；14、旋转轴；15、活塞杆；16、铰接座B ；17、冲击气缸；18、冲击头。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术进行进一步的说明；下面的实施例并不是对于本专利技术的限定，仅作为支持实现本专利技术的方式，在本专利技术所公开的技术框架内的任意等同结构替换， 均为本专利技术的保护范围；结合附图1或2中所述的多晶硅破碎装置，包括物料箱12、立柱13、旋转轴14、导轨3、滑动机构、弹性体、Columbia model 98冲击气缸17和钨钛合金HRC70-80冲击头18， 在物料箱12的任意一侧中部设有立柱13，旋转轴14活动插接在立柱13上部，导轨3的一端与旋转轴14的上端固定连接或所述导轨3的一端与立柱13的上端活动连接形成导轨 3的水平旋转结构，所述导轨3上设置的滑动机构为“U”行片2，“U”行片2的上部设有滑轮1，所述滑轮1与导轨3滑动配合，在滑动机构下部设置连接冲击气缸17的弹性体为拉伸弹簧4，Columbia model 98冲击气缸17的下部与钨钛合金HRC70-80冲击头18的上部卡接在操作手柄5的中部，所述操作手柄5的一端与拉伸弹簧4的下端连接，形成钨钛合金 HRC70-80冲击头18与物料箱12内的多晶硅6多工位对应结构；在物料箱12的外部和下部设有机架7，所述立柱13的下端固定在机架7的任意一侧；物料箱12的下部一侧通过设置在机架7横支撑9上的铰接座AlO铰接机架7，在物料箱12的铰接座AlO —侧壁上设有卸料门11，物料箱12的另一边下部由铰接座B16与气缸8的活塞杆15上端铰接连接，气缸 8的下部铰接固定在机架7上。实施本专利技术所述的多晶硅破碎装置，本专利技术冲击气缸采用17c0lumbia model 98， 将其固定在操作手柄5上，方便操控，确保了物料箱6的圆周180度范围内随意调节击打距离，其工作区域可达4平方“建议范围”，多晶硅6硅棒水平置放在击打区域内，Columbia model 98冲击气杠17在0.6Mpa的气压下瞬间产生8吨(最大)的冲击力，且震动力微小.硅棒在强大的冲击作用下内部应力失衡而碎裂形成块状，本专利技术整个破碎过程只需一人操作即可完成。本专利技术所述冲击气紅17为美国Columbia marking tools公司生产的Columbia 冲击气缸系列，由于本专利技术所述冲击气缸17具有结构紧凑，冲击力巨大，在同样的行程和缸径下，Columbia冲击气缸的冲击力要比普通气缸高10倍左右；并且本专利技术所述冲击气缸 17由于采用了冲击缓冲装置，具有更大的冲击力，并且保证了本专利技术的使用寿命。本专利技术所述的钨钛合金HRC70-80冲击头18强度较高，保证了多晶硅6击打中的稳定性和耐久性。本专利技术未详述部分为现有技术。权利要求1.一种多晶硅破碎装置，包括物料箱(12)、立柱(13)、旋转轴(14)、导轨(3)、滑动机构、弹性体、冲击气缸(17)和冲击头(18)，其特征是在物料箱(1 的任意一侧中部设有立柱(13)，旋转轴(14)活动插接在立柱(1 上部，导轨(3)的一端与旋转轴(14)的上端固定连接或所述导轨(3)的一端与立柱(1 的上端活动连接形成导轨(3)的水平旋转结构，滑动机构与导轨(3)滑动配合，在滑动机构的下部设有连接冲击气缸(17)的弹性体，在冲击气缸(17)的下端设有冲击头(18)，形成冲击头(18)与物料箱(1 内的多晶硅(6)多工位对应结构。2.根据权利要求1所述的多晶硅破碎装置，其特征是在所述导轨C3)上设置的滑动机构为“U”行片( ，“U”行片O)的上部设有滑轮(1)，所述滑轮(1)与导轨C3本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种多晶硅破碎装置，包括物料箱（１２）、立柱（１３）、旋转轴（１４）、导轨（３）、滑动机构、弹性体、冲击气缸（１７）和冲击头（１８），其特征是：在物料箱（１２）的任意一侧中部设有立柱（１３），旋转轴（１４）活动插接在立柱（１３）上部，导轨（３）的一端与旋转轴（１４）的上端固定连接或所述导轨（３）的一端与立柱（１３）的上端活动连接形成导轨（３）的水平旋转结构，滑动机构与导轨（３）滑动配合，在滑动机构的下部设有连接冲击气缸（１７）的弹性体，在冲击气缸（１７）的下端设有冲击头（１８），形成冲击头（１８）与物料箱（１２）内的多晶硅（６）多工位对应结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵春燕，周志龙，王世兵，赵中州，
申请(专利权)人：洛阳佑东光电设备有限公司，
类型：发明
国别省市：41
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