蓄电装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的之一在于提供一种具有在硅层中引入有锂的电极的蓄电装置及其制造方法。通过在集电体上形成硅层，在硅层上涂敷含有锂的溶液，并进行热处理，可以对硅层中至少引入锂。通过利用含有锂的溶液，即使使用由多个硅微粒形成的硅层，含有锂的溶液也进入微粒和微粒之间的缝隙，从而可以对与含有锂的溶液接触的硅微粒引入锂。另外，即使在使用薄膜硅作为硅层的情况，或者在使用包括多个须状物或须状物群的硅层的情况，也可以均匀地涂敷溶液，从而可以容易地使硅中含有锂。

【技术实现步骤摘要】
蓄电装置及其制造方法
本专利技术涉及一种蓄电装置及其制造方法。这里，蓄电装置是指具有蓄电功能的元件及所有装置。
技术介绍
近年来，对锂离子二次电池、锂离子电容器及空气电池等的蓄电装置进行了开发。上述蓄电装置用电极是通过在集电体的一个表面上形成活性物质来制造的。作为活性物质，例如使用碳或硅等的能够贮藏并放出成为载流子的离子的材料。尤其是硅或掺杂了磷的硅比碳的理论容量大，通过将这些材料用作活性物质可以实现蓄电装置的大容量化，所以是优选的(例如专利文献1)。[专利文献1]日本专利申请公开2001-210315号公报
技术实现思路
在蓄电装置中，当作为正极活性物质使用不含有锂的材料时，负极活性物质中必须含有锂。另外，即使作为正极活性物质使用含有锂的材料，从考虑到不可逆容量的蓄电装置的容量设计的角度来看，在制造蓄电装置之前使负极含有一定量的锂是很有效的。另外，通过使被充电到负极的锂不完全放出，由于在充放电时因施加过多的负荷而导致电极功能降低的危险性降低，从而可以提高蓄电装置的循环特性。但是，当使用硅作为负极活性物质时，需要在制造蓄电装置之前使硅中含有锂。另外，通过使硅中含有锂，硅的导电率得到提高，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种蓄电装置的制造方法，包括以下步骤：在集电体上形成硅层；在所述硅层上涂敷含有锂的溶液；以及进行热处理，以对所述硅层中引入锂。

【技术特征摘要】
2010.06.30 JP 2010-1498401.一种蓄电装置的制造方法，包括以下步骤：在集电体上形成硅层；在所述硅层上涂敷含有锂和有机物质的溶液；以及进行热处理，从而对所述硅层中引入锂并形成附连到所述硅层的表面的碳层，其中，所述热处理在500℃以上且700℃以下的温度执行，并且，通过所述热处理，所述硅层的一个表面具有比所述硅层的更靠近所述集电体一侧更高的锂浓度。2.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法，其中所述硅层包括多个晶体硅的须状物。3.一种蓄电装置的制造方法，包括以下步骤：在集电体上形成硅层；在所述硅层上涂敷其中分散有含有锂的粒子并且包含有机物质的液体；以及进行热处理，从而对所述硅层中引入锂并形成附连到所述硅层的表面的碳层，其中，所述热处理在500℃以上且700℃以下的温度执行，并且，通过所述热处理，所述硅层的一个表面具有比所述硅层的更靠近所述集电体一侧更高的锂浓度。4.根据权利要求3所述的蓄电装置的制造方法，其中所述硅层包括多个晶体硅的须状物。5.一种蓄电装置，包括：负极，其包括负极集电体以及在该负极集电体上的负极活性物质；附连到所述负极活性物质的表面的碳层；以及与所述负极对置的正极，在该正极与所述负极之间设有电解质，其中，所述负极活性物质包括含有硅与锂的合金，所述负极活性物质的第二部分的锂浓度比所述负极活性物质的第一部分高，并且，所述第二部分比所述第一部分更接近所述负极活性物质的外表面。...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP