非水电解质二次电池及其用负极、负极材料、负极活性物质以及负极活性物质的制造方法技术

技术编号:6907312 阅读:283 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种负极活性物质的制造方法,所述负极活性物质是由硅粒子所构成,所述硅粒子是有效作为非水电解质二次电池的负极用的活性物质,所述非水电解质二次电池是一边维持硅的高初期效率与电池容量,一边循环特性优良,且减少充放电时的体积变化。一种非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法,是使用非水电解质的二次电池用的负极活性物质的制造方法,其特征在于,至少包括:在减压下蒸镀金属硅原料,来使硅堆积在温度控制于300~800℃的基板上,并且将该堆积的硅予以粉碎和分级。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种活性物质,其是用于锂离子二次电池等的非水电解质二次电池用的负极材料,特别是涉及一种硅粒子及其制造方法,所述硅粒子非常有用于作为负极活性物质。此外,本专利技术是涉及一种使用此负极材料的非水电解质二次电池用负极及非水电解质二次电池。
技术介绍
近年来,随着携带型的电子机器、通讯机器等显著发展,从经济性及机器的小型化、轻量化的观点来看,强烈期望一种高能量密度的非水电解质二次电池。硅的理论容量为4200mAh/g,显示出远高于目前已实用化的碳材料的理论容量 372mAh/g,因此在进行电池的小型化及高容量化方面是最受期待的材料。已知硅因其制法的不同而有结晶构造相异的各种形态。例如专利文献1中公开了一种锂离子二次电池,其使用单晶硅作为负极活性物质的支撑体。此外,专利文献2中公开了一种锂离子二次电池,其使用单晶硅、多晶硅及非晶硅的LixSi (但是,χ是0 5)的锂合金,特别优选是使用非晶硅的LixSi,并且例示了经将单硅烷进行等离子分解而得的非晶硅所被覆的结晶性硅的粉碎物。然而,此时,如实施例所示,使用硅30份、作为导电剂的石墨55份,无法充分发挥硅的电池容量。此外,专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法,是使用非水电解质的二次电池用的负极活性物质的制造方法,其特征在于,至少在减压下将金属硅作为原料并通过蒸镀来使硅堆积在温度控制于300~800℃的基板上,并且将该堆积的硅予以粉碎和分级。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:中西铁雄
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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