【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化合物、包含所述化合物的共聚物和包含所述共聚物的抗蚀剂保护膜组合物。更具体地，本专利技术涉及可用于抗蚀剂保护膜的化合物，所述抗蚀剂保护膜具有充分的透光率，不易于与抗蚀剂膜混杂，具有合适的亲水特征或疏水特征，不出现图案形状变差的现象，易溶解于碱性显影剂溶液，并减少在浸没式或干式曝光法过程中各种缺陷的出现； 涉及包含所述化合物的共聚物；还涉及包含所述共聚物的抗蚀剂保护膜组合物。
技术介绍
随着LSI的高度集成和加工速度提高的最近趋势，需要在光刻胶中形成更细的图案。作为用于抗蚀剂图案形成的曝光光线，已使用利用汞灯等的g线G36nm)或i线 (365nm)的曝光光线等作为光源。据信对改进解析度的尝试现已基本上达到了极限，所述解析度是与曝光光线波长相关的性质。但是，需要更细的光刻胶图案，并且使用较短波长的曝光光线的方法作为用于该目的的手段可以是有效的。由此，使用较短波长048nm)或类似波长的KrF准分子激光等代替i-线(365nm)。对于ArF浸没式光刻法，已建议封闭在透射镜和晶片衬底之间的水。即使当使用数值孔径(NA)值为1.0或更大的透镜时，这样的方法通过使用193nm处的水折射率可形成图案，并且该方法被称为浸没式曝光技术。但是，由于抗蚀剂膜与纯水接触，已加入抗蚀剂膜的光致酸发生剂或胺化合物所产生的酸作为淬灭剂而溶于水中，并由此易于发生各种缺陷，如抗蚀剂图案中的形状变化、因溶胀造成的图案缺损、气泡缺陷和水印缺陷。因此，出于在光刻胶膜和例如水的介质之间形成阻隔层的目的，已建议一种在抗蚀剂膜和水之间形成保护膜或覆盖膜的方法。这样的抗蚀剂保护膜需要具...
【技术保护点】
１．下式（１）表示的化合物：［式１］其中，Ｒ１１表示选自以下的任意一种：氢原子、卤原子、１－８个碳原子的烷基和１－５个碳原子的卤代烷基；Ｒ１表示选自以下的任意一种：烷基、杂烷基、芳基、杂芳基、环烷基、杂环烷基、烷基醚基和烷基羰基；Ｒ２表示选自以下的任意一种：氢原子和１－５个碳原子的烷基；并且，Ｑ１和Ｑ２每个独立地表示选自以下的任意一种：氢原子和卤原子。
【技术特征摘要】
2010.06.25 KR 10-2010-0060587;2011.05.31 KR 10-2011.下式(1)表示的化合物 [式1]2.包括下式(Ι-a)表示的重复单元的共聚物 [式 I-a]3.权利要求2的共聚物，其还包括包含下式( 表示的官能团的重复单元 [式2]4.权利要求3的共聚物，其中包含式( 表示的官能团的重复单元是下式(3-a)表示的重复单元 [式 3-a]5.权利要求4的共聚物，其中式(3-a)表示...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱炫相，朴柱铉，韩俊熙，任铉淳，
申请(专利权)人：锦湖石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR
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