多晶或单晶硅废料回用去胶工艺及专用退火炉制造技术

技术编号:7030400 阅读:379 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种多晶或单晶硅废料回用去胶工艺及专用退火炉,包括炉体及密封装置、炉门及启闭压紧装置、台车及台车牵引机构、加热元件及固定装置、风冷装置和温度自动控制系统,本发明专利技术的多晶或单晶硅废料回用去胶工艺专用退火炉及去胶工艺,节省了大量劳动力,碎片原料经高温退火处理后彻底去除粘胶条和胶水等可燃性杂质,达到多晶硅铸锭和拉制单晶硅的要求;具有冷却装置,排出炉体内的热量及已灰化的胶条和胶水,达到速冷的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能级硅原料处理装置
,尤其是一种多晶或单晶硅废料回用去胶工艺及专用退火炉
技术介绍
多晶硅铸锭和拉制单晶硅需要纯度较高的原料,单晶硅锭和多晶硅锭切片过程中会产生单晶碎片和多晶碎片,单晶碎片和多晶碎片经处理后可用于再次铸造成多晶硅锭或拉制单晶硅,实现废料的再次利用,有利于减少废料污染,提高硅原料利用率,节约生产成本。单晶碎片和多晶碎片与其他原料有区别,碎片上具有切片工艺中残留的胶水和粘胶条, 若不完全去除将导致多晶硅锭纯度不达标等问题。针对单晶碎片和多晶碎片,第一步进行预清洗,去除灰尘等杂质;第二步进行去胶处理;第三步进行碱洗;完成单晶碎片和多晶碎片的预处理,之后再通过酸洗、漂洗、超声波溢流漂洗等工艺完成整个处理。常规的去胶处理,用水洗等方法,或用退火炉加热燃烧去除可燃性杂质。现有的退火炉去胶效果差,不能完全去除可燃杂质。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了解决现有技术中的不足,本专利技术提供一种多晶或单晶硅废料回用去胶工艺及专用退火炉,能充分去除原料中的可燃性杂质,达到投炉铸锭或拉制单晶的生产要求。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶或单晶硅废料回用去胶工艺专用退火炉,其特征在于:包括炉体(1)及密封装置、设置在炉体(1)上的炉门(2)及启闭压紧装置(3)、设置在炉体(1)内的台车(4)及台车牵引机构(5)、加热元件及固定装置、风冷装置(6)和温度自动控制系统,所述的炉体(1)内具有炉衬(11),炉体(1)下方具有供台车(4)移动的轨道(12);所述的炉门(2)通过启闭压紧装置(3)安装在炉体(1)上;所述的台车(4)包括车架(41)、堆砌在车架(41)上的护衬砌体(42)和放置原料的料盘(43),车架(41)上具有在轨道(12)上移动的轮组(44)和驱动轮组(44)的台车牵引机构(5),护衬砌体(42)通过台...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周罗洪孙志兰葛相麟
申请(专利权)人:江苏兆晶光电科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:32

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