使用金属污染及热处理识别单晶硅中的晶体缺陷区的方法技术

本发明专利技术是有关于一种使用金属污染以及热处理识别单晶硅的晶体缺陷区的方法。在此方法中，制备硅晶片或单晶硅锭切片形状的样品。用金属以约１×１０↑［１４］到５×１０↑［１６］个原子／平方厘米的污染浓度污染样品的至少一侧。热处理受污染的样品。观察热处理过的样品的受污染侧或相反侧来识别晶体缺陷区。在不使用另一检查装置的情况下，可准确、容易且快速地分析晶体缺陷区，而与单晶硅中的氧浓度无关。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造用于半导体装置中的晶片的方法，且特别是涉及一种识另寸以及^H介单晶石圭4定(monocrystal line silicon ingot)或石圭晶片 中所存在的各种缺陷区的方法。
技术介绍
一般来说，使用浮区法 (floating zone ， FT ) 或切克劳斯基法(Czochralski， CZ )制造硅晶片。CZ法最广泛地用于制造 硅晶片。在CZ法中，将多晶硅置于石英坩埚中。由石墨放热材料将多晶硅 加热并熔融，且将籽晶(seed crystal)浸没在熔融态硅中。通过在旋转 经浸没籽晶的同时、将籽晶向上拉伸使单晶硅锭生长。将经生长的硅锭切 割、蚀刻并且抛光成硅晶片。单晶硅锭或硅晶片可能具有晶体缺陷，诸如，晶体起因的微粒(Crystal Originated Particle, COP )、流动图案缺陷(Flow Pattern Defect, FPD)、 IU秀发叠层缺陷(Oxygen induced Stacking Fault, OiSF)以及内层樣O见 缺陷(Bulk Micro Defect, BMD)，这些称为生长中缺陷。需要减少生长中 缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种识别晶体缺陷区的方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　制备硅晶片或单晶硅锭切片形状的样品；　　　　用金属以约１×１０↑［１４］到５×１０↑［１６］个原子／平方厘米的污染浓度，来污染所述样品的至少一侧；　　　　热处理所述受污染的样品；以及　　　　观察所述热处理过的样品的受污染侧或相反侧，来识别晶体缺陷区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：魏相旭，李成旭，裵基万，金光石，
申请(专利权)人：株式会社SILTRON，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]