本发明是有关一种制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法。所述方法包含：对硅衬底的表面执行热清洁；以原位方式在硅衬底的表面上形成氮化硅微掩膜；以及使用微掩膜中的开口通过外延横向过生长而生长氮化镓层。根据所述方法，通过改进典型的外延...

本发明是有关于一种制造芯片载体的方法，芯片其能够提供良好的抗磨损性以显著增加所述芯片载体的使用寿命，且在芯片的双面抛光期间，防止所述芯片的边缘发生缺陷。所述方法包含：将构成所述芯片载体的载体主体以机械方式加工成预设置的形状；在所述芯片载...

本发明是有关于一种使用金属污染以及热处理识别单晶硅的晶体缺陷区的方法。在此方法中，制备硅晶片或单晶硅锭切片形状的样品。用金属以约１×１０↑［１４］到５×１０↑［１６］个原子／平方厘米的污染浓度污染样品的至少一侧。热处理受污染的样品。观察...