【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率用半导体装置。
技术介绍
对于IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极型晶体管)等的功率用半导体装置来说，由于进行处理的功率较大，所以，其通电损失所引起的发热较大。因此，半导体衬底的温度上升较大，此外，导通/截止动作所引起的温度变化也较大。当温度上升、温度变化等较大时，导致引线接合部等的疲劳，使功率循环寿命降低。此外，所谓功率循环寿命是表示功率用半导体装置的可靠性的指标之一，表示由于与动作相伴的温度变化而产生引线接合部的剥离等导致的寿命。专利文献1 日本特开平6_3似876号公报。在功率用半导体装置中，与衬底外周部相比，在衬底中央部温度变高，衬底中央部的温度使衬底整体的温度上升。在上述专利文献1中介绍了具有检测衬底中央部的温度以将温度上升所引起的热破坏防患于未然的功能的半导体装置。具体地说，在专利文献1的半导体装置中，在形成于半导体衬底上的功率用晶体管的中央部(相对于衬底中央部)设置空区域，在该空区域形成有温度检测用晶体管等的温度检测用元件。并且，根据温度检测用元件的检测温度对功率用晶体管进行...
【技术保护点】
１． 一种功率用半导体装置，具有半导体衬底，并且，在所述半导体衬底的厚度方向流过电流，其特征在于，所述半导体衬底具有电阻控制结构，该电阻控制结构以如下方式构成：针对所述电流的电阻在所述半导体衬底的中央部比所述半导体衬底的外周部高。
【技术特征摘要】
2010.06.23 JP 2010-1422411.一种功率用半导体装置，具有半导体衬底，并且，在所述半导体衬底的厚度方向流过电流，其特征在于，所述半导体衬底具有电阻控制结构，该电阻控制结构以如下方式构成针对所述电流的电阻在所述半导体衬底的中央部比所述半导体衬底的外周部高。2.如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对，所述第二半导体层的杂质浓度在所述中央部比所述外周部低， 所述电阻控制结构包括所述第二半导体层而构成。3.如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对，所述第二半导体层具有存在于所述外周部而不存在于所述中央部的形状， 所述电阻控制结构包括所述第二半导体层而构成。4.如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；寿命控制层，设置在所述第一半导体层内，并且，在所述厚度方向上与所述第二半导体层相面对，所述寿命控制层的寿命扼杀剂浓度在所述中央部比所述外周部高， 所述电阻控制结构包括所述寿命控制层而构成。5.如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；寿命控制层，设置在所述第一半导体层内，并且，在所述厚度方向上与所述第二半导体层相面对，所述寿命控制层具有存在于所述中央部而不存在于所述外周部的形状， 所述电阻控制结构包括所述寿命控制层而构成。6.如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；第一导电类型的缓冲层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且，具有比所述第一半导体层高的杂质浓度， 所述缓冲层的杂质浓度在所述中央部比所述外周部高， 所述电阻控制结构包括所述缓冲层而构成。7.如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；第一导电类型的缓冲层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且，具有比所述第一半导体层高的杂质浓度， 所述缓冲层具有存在于所述中央部而不存在于所述外周部的形状， 所述电阻控制结构包括所述缓冲层而构成。8.如权利要求1所述的功率用半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，在所述厚度方向上与所述第一半导体层相面对；第一导电类型的载流子蓄积层，在所述厚度方向上，在所述第二半导体层的相反侧与所述第一...
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