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本发明提供一种能够抑制衬底中央部的温度上升的功率用半导体装置。功率用半导体装置（10A）具有半导体衬底（100A），在半导体衬底（100A）的厚度方向（103）流过电流。半导体衬底（100A）包括以如下方式构成的电阻控制结构：针对上述电流的...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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