【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路器件，更具体地，涉及半导体集成电路中的可熔断连接器件。
技术介绍
随着半导体内存组件集成度的增加，相对地，产品的良率可能下降。然而，鉴于这 些电路高额的开发成本和加工成本，以及过长的研制周期，为了提升良率，现有技术是采用 冗余电路或可编程电路来提高半导体内存组件的良率。现有的冗余电路中包含有多个多晶硅熔丝，假如经测试主要的存储器件后发现有 缺陷存储器，即可通过烧断冗余电路中设置的多晶硅熔丝，并采用备用存储器来取代有缺 陷存储器，由此修补该半导体内存组件。现有可编程电路通常包含可编程链接，可编程链接是由最终用户在集成电路器件 制作完成之后，为了启用和禁用所选定的电节点而在所选定的电节点处断开或创建的电互 接。在这种情况下，可编程链接被广泛应用于可编程存储器器件(PROM)中。可编程存储器 件可以为电路应用提供灵活多样和价格低廉的解决方案，而在该可编程链接中，最普通的 可编程连接形式为可熔断链接，即采用具有熔断部的多晶硅熔丝放置于绝缘层上，作为大 规模集成电路装置的一部分。如图1所示，图1示出了现有技术中的多晶硅熔丝结构的示意性版图，图中所示...
【技术保护点】
１．一种熔丝器件，其特征在于，包括：衬底；形成于衬底上的第一绝缘层；以及金属层，所述金属层具有熔断部并形成于所述第一绝缘层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡孟峰，邹晓东，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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