Provided is a semiconductor device having an electric fuse structure that receives the supply of current so that it can be cut off without damaging the surrounding parts of the fuse. An electric fuse is electrically connected between a circuit and a redundant circuit as an alternate circuit. After sealing these circuits with resin, the fuse can be cut off by receiving the supply of the current from the outside. An electric fuse is formed in the fine layer and is made of a main wiring and a barrier film. The linear expansion coefficient of each of the main wiring and the barrier film is larger than the linear expansion coefficient of each insulating layer. The melting point of each of the main wiring and the barrier film is lower than the melting point of each insulating layer.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种接收电流供给以便允许增加器件本身的电阻的半导体器件和一种提高电熔断器的电阻的方法。
技术介绍
迄今为止，已经使用了一种接收电流供给以允许增加熔断器本身的电阻的熔断器。在本说明书中，将这样的熔断器称为电熔断器。电熔断器设置在绝缘层内部。在本说明书中，将具有绝缘层和电熔断器的结构称为电熔断器结构。在本说明书中，电熔断器电阻的增加例如为这样的现象流入到电熔断器中的电流的值变小，也就是说，电熔断器变成具有比以前高的电阻的状态；或者为这样的现象与电熔断器的两端相连接的两个元件之间的电流流动完全停止，也就是说，电熔断器被切断或熔融/切断，或者是电熔断器的电阻变为无限大。本说明书中所描述的电熔断器的示例包括用于使电路不可能使用的熔断器、用在模拟器件等中以调整器件电压的熔断器以及用作标志以便留下工艺、测试结果等的痕迹的熔断器。W097/12401的小册子USP No. 5969404USP No. 632；35；35USP No. 6433404由V.Klee等人发表于IEDM会议Q001)的题为“A 0. 13ym logic based embedded ...
【技术保护点】
１．一种半导体器件，包括：第一绝缘层；第一沟槽，其形成在所述第一绝缘层中；第二沟槽，其形成在所述第一绝缘层中；电熔断器，其包括形成在所述第一沟槽的底表面和所述第一沟槽的侧壁上的第一阻挡金属，以及形成在所述第一阻挡金属上且填充在所述第一沟槽中的第一铜金属，所述电熔断器的电阻值可以通过向所述电熔断器施加电流来控制；第一布线，其包括形成在所述第二沟槽的底表面和所述第二沟槽的侧壁上的第二阻挡金属，以及形成在所述第二阻挡金属上且填充在所述第二沟槽中的第二铜金属；第二绝缘层，其形成在所述第一绝缘层、所述电熔断器和所述第一布线上；以及第三绝缘层，其形成在所述第二绝缘层上，第三沟槽，其形成...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩本猛，河野和史，荒川政司，米津俊明，大林茂树，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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