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本发明公开了一种熔丝器件，该熔丝器件包括：衬底；形成于衬底上的第一绝缘层；以及金属层，所述金属层具有熔断部并形成于所述第一绝缘层上。本发明中的熔丝器件的关键尺寸的宽度和厚度相对于多晶硅熔丝可以被刻蚀的很小，并且熔断该熔丝器件的熔断部需要的电...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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