一种监测曝光机台的曝光能量的方法和系统技术方案

一种监测曝光机台的曝光能量的方法和系统，该方法包括以下步骤：确定在一定条件下曝光后模板晶圆上的光刻胶厚度与曝光能量之间的关系；测量曝光后待测晶圆上的光刻胶厚度；根据该关系，获得与测量的光刻胶厚度对应的曝光能量；将获得的曝光能量与设置的曝光能量比较以对曝光机台的曝光能量进行监测。本发明专利技术还公开了一种监测曝光能量的系统。通过本发明专利技术的监测曝光能量的方法和系统，达到更加经济的、简单的对曝光机台的曝光能量进行监测的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制程，尤其涉及一种监测曝光机台的曝光能量的方法和系统。
技术介绍
在半导体制造技术中，晶圆的关键尺寸(Critical Dimension)越来越小，例如，线 宽尺寸由45纳米变为32纳米。而维持关键尺寸的均勻性则显得非常重要。某些类型的图 案需要不同等级的关键尺寸的均勻性。例如，以45纳米制程来说，使用在微处理器电路的 独立线需要在1. 3纳米的线宽的3个标准差(sigma)之间；使用在记忆体阵列的密集线需 要在3. 4纳米的线宽的3个标准差之间。有多种因素可能影响到上述的关键尺寸。这些因素可能来自光学、化学或机 械方面的因素。针对不同的因素，现有技术中提出了不同的解决方案。例如，涂覆有化 学增幅光刻胶的晶圆的存放时间对最终形成的关键尺寸有影响。针对该问题，中国第 200710171612. 7号专利申请公开了一种关键尺寸的控制方法。其通过产生关键尺寸和存放 时间的对应关系曲线来获得晶圆的安全存放时间。以此来对关键尺寸进行控制。另外，光刻过程对关键尺寸的影响也非常大。图1示出了通常的光刻过程的流程 图。光刻通常包括8个步骤步骤110为气相成底膜，即对晶圆进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种监测曝光机台的曝光能量的方法，包括以下步骤：确定在一定条件下曝光后模板晶圆上的光刻胶厚度与曝光能量之间的关系；测量曝光后待测晶圆上的光刻胶厚度；根据所述关系，获得与所述测量的光刻胶厚度对应的曝光能量；将所述获得的曝光能量与设置的曝光能量比较以对所述曝光机台的曝光能量进行监测。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，安辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31